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HBM3e产出放量带动,2024年底HBM投片量预估占先进制程比重35%|TrendForce集邦咨询

来源:集邦咨询       

TrendForce集邦咨询:HBM3e产出放量带动,2024年底HBM投片量预估占先进制程比重35%

据TrendForce集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

以HBM最新发展进度来看,TrendForce集邦咨询表示,今年HBM3e将是市场主流,集中在今年下半年出货。目前SK海力士(SK hynix)依旧是主要供应商,与美光(Micron)均采用1beta nm制程,两家业者现已正式出货给英伟达(NVIDIA);三星(Samsung)则采用1alpha nm制程,预期今年第二季完成验证,于年中开始交付。

预期今年DDR5、LPDDR5(X)渗透率增加,将消耗更多先进制程产能

除了HBM需求占比持续增加,PC、服务器、智能手机三大应用单机搭载容量增长,故对于先进制程的消耗量也逐季提升,其中又以服务器的容量提升最高,主要受惠于单机搭载容量1.75TB的AI服务器所带动。而随着Intel、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量产后,其存储器规格仅能采用DDR5,预期今年DDR5渗透率至年底将逾50%。

与此同时,由于HBM3e出货将集中在今年下半年,期间同属存储器需求旺季,DDR5与LPDDR5(X)市场预期需求也将看增。但受到2023年亏损压力影响,原厂产能扩张计划也较谨慎。整体而言,在HBM投片比重扩大的情况下,将使得先进制程产出有限,下半年产能配置将是供给是否充足的关键。

受到HBM产能排挤,若先进制程产能扩张不足,DRAM产品恐面临供不应求

目前新厂规划如下,三星现有厂房2024年底产能大致满载,新厂房P4L规划于2025年完工,同时Line15厂区将进行制程转换,由1Ynm转换至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年产能预计扩大,M15X同样亦规划于2025年完工,并于明年底量产。美光台湾地区厂区将于明年恢复至满载,后续产能扩张将以美国厂为主,Boise厂区预期于2025年完工并陆续移机,并计划于2026年量产。

TrendForce集邦咨询表示,尽管三大原厂的新厂将于2025年完工,但部分厂房后续的量产时程尚未有明确规划,需依赖2024年的获利,才得以持续扩大采购机台,此也进一步推动三大原厂坚守存储器价格今年涨势。除此之外,由于NVIDIA GB200将于2025年放量,其规格为HBM3e 192/384GB,预期HBM产出将接近翻倍,且紧接各原厂将迎来HBM4研发,若投资没有明显扩大,因各家产能规划皆以HBM为优先,在产能排挤的效应之下,DRAM产品恐有供应不及的可能性。