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【IC设计】澜起科技:今年完成第一代DDR5芯片量产版本研发

来源:全球半导体观察       

8月4日,澜起科技公布了投资者调研报告,就公司目前在研项目、研发进度及预计量产时间、DDR5相关配套芯片等方面的问题进行了回复。

关于公司目前在研项目方面,澜起科技表示,公司目前在研项目主要有三大类:1、接口类芯片。包括DDR5内存接口芯片及与其配套芯片(串行检测芯片(SPD)、温度传感器(TS) 、电源管理芯片(PMIC));PCIe 4.0 Retimer芯片。2、津逮®服务器CPU以及混合安全内存模组。3、人工智能芯片。

据了解,澜起科技已于2019年完成符合JEDEC标准的DDR5第一代RCD及DB芯片工程样片的流片,这些工程样片于2019年下半年送样给公司主要客户和合作伙伴进行测试评估,公司计划在2020年完成DDR5第一代内存接口及其配套芯片量产版本芯片的研发,实际量产时间取决于服务器生态的成熟度。

至于量产时间,澜起科技表示,根据行业普遍预测,DDR5第一代预计量产时间为2021年底到2022年上半年。

此外,澜起科技还在2019年完成了PCIe 4.0 Retimer 芯片的工程样片的流片,性能指标和功能基本符合预期。公司目标是根据客户及合作伙伴测试、认证的反馈情况,计划在2020年完成PCIe 4.0 Retimer量产版本芯片的研发。

关于公司DDR5相关配套芯片的作用及研发进度方面,澜起科技则表示,2019年公司与合作伙伴已完成符合JEDEC标准的DDR5服务器内存模组配套芯片工程样片的流片,并送样给内存模组厂商评估。DDR5内存模组的配套芯片,将与DDR5内存接口芯片、DDR5内存颗粒一起组成DDR5内存模组整体解决方案。

据披露,澜起科技目前合作的晶圆代工厂商主要是台积电和富士通电子,合作的封装测试厂商主要是星科金朋和矽品科技。

资料显示,澜起科技是国内知名的集成电路设计公司之一,致力于为云计算和人工智能领域提供高性能芯片解决方案,在内存接口芯片市场深耕十余年,先后推出了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5系列高速、大容量内存缓冲解决方案,以满足云计算数据中心对数据速率和容量日益增长的需求。

此外,自2016年以来,澜起科技与清华大学、英特尔鼎力合作,研发出津逮®系列CPU。

对于公司未来发展战略,澜起科技称,公司未来三年的发展目标是通过持续不断的研发创新,提升公司在细分行业的市场地位和影响力,同时开拓新的业务增长点。

其中,在接口类芯片领域,一方面公司将继续巩固内存接口芯片业务的市场领先地位,完成第一代DDR5内存接口芯片和相关配套芯片的研发和产业化;另外,公司将积极研发PCIe相关芯片,并实现产业化。

2、在数据中心业务领域,持续升级津逮®服务器CPU及其平台,为数据中心提供高性能、高安全、高可靠性的CPU、混合安全内存模组等产品,持续提升市场份额。

3、在人工智能芯片领域,公司将聚焦客户需求,挖掘潜在商机,研发有竞争力的芯片解决方案,为公司的可持续发展提供新的业务增长点。

封面图片来源:拍信网