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【IC设计】提升10倍,2030年处理器电晶体将达到1万亿个?

来源:科技新报       

根据外媒报导,在上周的HotChips 34大会上,英特尔执行长Pat Gelsinge表示,小芯片设计加先进封装未来10年将延续定律的蓬勃发展。甚至,到2030年之际,电晶体密度将增加10倍,这将使得英特尔在芯片上发展到拥有1万亿个电晶体。

Pat Gelsinger表示,芯片制造厂提供的不再是单一的晶圆生产,而是完整的系统级服务,包括晶圆生产、先进封装及整合在一起的软件技术等,这样的做法称之为System on Package(简称SOP)。

Pat Gelsinger解释,资料中心内的机架式服务器蔚为风尚,这就是依赖以SOP为主所累积起来的发展模式,也就是当SOP成为了先进系统后,就能看到整体的持续发展。

事实上,要达到这种改变,其中一部分涉及节点微缩以及芯片堆叠技术。英特尔之前已经讨论过,将在2024年放弃FinFET技术,转而使用环栅(GAA)RibbonFET技术,也就是将在其intel 20A节点开始采用新的技术。同时,还将以PowerVIA背面供电技术来支援。Pat Gelsinger认为,这种制程以及封装技术的进步,将为半导体提供无限制的进步。

“今天,一个芯片上大约有1,000亿个电晶体。而在有了环栅(GAA)RibbonFET技术之后,将会产生一个新的基本电晶体结构,预计到达2030年之际,将可以使得电晶体数量达到1万亿个。”Pat Gelsinger说道。

封面图片来源:拍信网