SK海力士发布2026财年第一季度财务报告

·营业收入为52.5763万亿韩元，营业利润为37.6103万亿韩元，净利润为40.3459万亿韩元
·AI需求持续强劲，高附加值产品销售扩大，创下单季度历史最高业绩
·迈向代理式AI时代，DRAM和NAND闪存需求全方位增长，将以新产品进行前瞻性应对
·“将通过基于需求可见性的投资，同时确保供应稳定性和财务健全性”

2026年4月23日，SK海力士发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。公司2026财年第一季度营业收入为52.5763万亿韩元，营业利润为37.6103万亿韩元，净利润为40.3459万亿韩元。2026财年第一季度营业利润率为72%，净利润率为77%。(K-IFRS为准)

从季度业绩来看，销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率达到72%，创下公司成立以来的最高纪录。营业利润环比激增约两倍，显著展现了盈利能力的强劲改善趋势。

SK海力士表示：“尽管第一季度通常是季节性淡季，但在人工智能（AI）基础设施投资扩大的推动下，市场需求持续强劲。公司通过扩大高带宽存储器（HBM）、大容量服务器DRAM模块、企业级固态硬盘（eSSD）等高附加值产品的销售，延续了业绩上升势头。”

受此优异业绩推动，截至第一季度末，公司现金及现金等价物环比增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元。与此同时，借款额减少2.9万亿韩元，降至19.3万亿韩元，实现了35万亿韩元的净现金头寸。

公司分析指出，随着人工智能从以“大型模型训练”为中心，进化为在各种服务环境中反复进行实时推理的“代理式人工智能（Agentic AI）”阶段，存储器需求的基础正扩展至DRAM和NAND闪存所有领域。

SK海力士预测，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，公司预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。

SK海力士明确了其将在DRAM和NAND闪存全领域持续推进新产品开发与供应的战略方针，以灵活应对多样化的存储器需求。

在HBM方面，公司将进一步加强整合性能、良率、质量及供应稳定性的综合执行能力。并且在DRAM方面，公司将全面启动全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的LPDDR6 DRAM，以及基于同一工艺并于本月开始量产的192GB SOCAMM2的供应。

在NAND闪存方面，公司开始供应基于CTF*且采用321层QLC**技术的客户端固态硬盘（cSSD）“PQC21”的同时，将通过在eSSD的全领域构建涵盖高性能TLC和大容量QLC的产品阵容，灵活应对人工智能领域的整体需求。此外，公司将依托在大容量QLC eSSD领域拥有优势的Solidigm产生的协同效应，进一步加强在AI数据中心和AI PC存储器市场的竞争力。

另一方面，SK海力士强调，在客户需求持续超过供应能力的环境下，能够应对AI时代需求结构性增长的供应能力已成为核心竞争优势。

对此，公司表示将以韩国清州M15X产能爬坡和龙仁集群为核心，推进基础设施建设及EUV等核心设备引进，为此今年的投资规模将同比大幅增加。

SK海力士表示：“公司将战略性地扩充生产基础，以先发应对中长期需求增长。也将通过基于需求可见性的投资，同时确保供应稳定性和财务稳健性。”

* 注：2025年第四季度销售额为32.8267万亿韩元，营业利润为19.1696万亿韩元

* CTF（电荷捕获型技术，Charge Trap Flash）：与将电荷存储在导体中的浮栅（Floating Gate）技术不同，该技术将电荷存储在绝缘体中，解决了单元间干扰问题。其特点是相比浮栅技术，不仅能够减小单位单元面积，还能提高读写性能。

** NAND闪存芯片根据每个单元（Cell）可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同规格。信息存储量越大，相同面积内可存储的数据越多。