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美光宣布量产第3代10纳米级制程DRAM

根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布,将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一...

DRAM 内存 美光Micron

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日韩贸易战推现货存储器反弹,合约市场仍未撼动

6月东芝停电事件,加上7月开始日韩贸易战延烧,推动了已跌到亏损流血的NAND Flash现货价率先反弹,结束了2年多来的空头走势,此波存储器价格由.....

DRAM NAND Flash

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美光新加坡Fab 10A闪存工厂完成扩建

存储器大厂美光科技(Micron)14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建!美光执行长Sanjay Mehrotra表示,新厂区将...

NAND Flash 闪存 美光Micron

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SK海力士公布新产品规划:2030年推800+层堆叠NAND Flash,届时SSD可达200TB

目前,两大韩系NAND Flash厂商──三星及SK海力士已经公布了新NAND Flash产品的发展规划。其中,三星宣布推出136层堆叠的第6代V-N...

SK海力士 NAND Flash 闪存

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佰维FMS 2019全球顶级闪存峰会首秀圆满结束

佰维以“齐话存储未来,共赏封景无限”为主题,向与会专家及全球客户全面展示了佰维的全方位存储解决方案及以SiP为核心的先进封测服务...

闪存 SIP 佰维Biwin

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中科院微电子所副总工程师: 嵌入式MRAM大规模量产成定局

新型存储器,特别是嵌入式MRAM在逻辑芯片的应用,是近期的亮点。MRAM,即Magnetic Random Access Memory,是一种非易失性...

DRAM AI人工智能 中科院微电子所

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东芝停电产线恢复生产

根据韩国媒体《KoreaBusiness》报导指出,之前因停电事件而造成东芝日本四日市NAND Flash快闪存储器产线生产暂停的状况,如今东芝已经排...

NAND Flash 东芝存储器 闪存

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新突破!三星量产100+层V-NAND 未来还有300层

8月6日,三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节(SATA)固态硬盘(SSD),该硬盘集成了该公司的第六代(1xx层)256Gb,适用于全球PC O...

三星电子 闪存芯片 NAND Flash

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跨足电竞最新力作,达墨GK-100 RGB全背光电竞键盘

达墨科技继各种不同领域科技精品周边后,针对游戏玩家推出GK-100专业级游戏电竞键盘,抢攻专业电竞市场,满足不同类型游戏玩家需求,丰富更多玩家...

电竞 达墨科技

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