2026-06-18
2026年6月18日，SK海力士宣布，公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM...
2026-06-15
SK海力士（SK hynix）已完成375层3D NAND闪存的生产验证，并计划着手将该技术导入量产线，预计将于今年年底开始大规模量产...
2026-06-01
据央视记者获悉，当地时间6月1日上午10时32分左右，位于韩国忠清北道清州市的SK海力士第四园区内，连接两个生产间的气体室发生火灾...
2026-05-26
2026年5月26日，SK海力士宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量...
2026-05-19
2026年Q1三星、SK海力士业绩爆发，内存价格同比暴涨超140%；高成本倒逼三星DX部门调整采购策略，HBM4E研发投入激增...
2026-05-12
据ZDNet报道，SK海力士正在与英特尔合作开展2.5D封装技术的研究与开发。此外，SK海力士正在考虑采用英特尔研发的2.5D封装技术“嵌入式多芯片互连桥”...
2026-05-09
据路透社报道，SK海力士已引发全球科技巨头的广泛关注，潜在客户纷纷提出为其新建生产线提供资金、甚至分担昂贵制造设备成本，以此锁定未来内存供应...
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