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SK海力士相关资讯

SK海力士举行美国印第安纳州HBM生产基地奠基仪式

总投资额将超过40亿美元的印第安纳晶圆厂,预计于2028年10月完成无尘室 (Cleanroom)建设,并于2029年下半年启动新一代HBM量产...

存储器 SK海力士 HBM

存储器

SK海力士提早实施40万亿韩元规模股份回购与注销

SK海力士宣布,将回购价值40万亿韩元的股份并予以全部注销。公司计划在股东回报政策期间(2025年至2027年)内,返还累计自由现金流...

DRAM SK海力士 NAND Flash

存储器

SK海力士投资54万亿韩元建设龙仁Y2与清州M17晶圆厂

2026年8月7日,SK海力士宣布,公司将在韩国龙仁和清州新建晶圆厂(Fab),以应对AI时代持续增长的存储器需求...

DRAM SK海力士 NAND Flash

存储器

SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范

2026年8月4日,SK海力士宣布,公司联手闪迪(Sandisk)共同发布下一代存储技术高带宽闪存(HBF,High Bandwidth Flash)的首个标准规范...

SK海力士 HBM

存储器

SK海力士发布2026财年第二季度财务报告

公司2026财年第二季度营业收入为79.3187万亿韩元,营业利润为60.5426万亿韩元,净利润为93.9226万亿韩元。2026财年第二季度...

DRAM SK海力士 NAND Flash

存储器

SK集团携手英伟达落地超5000亿美元全链条AI合作,共建2吉瓦AI工厂联合研发HBM存储

SK集团与英伟达宣布计划建立一项超过5000亿美元的综合合作伙伴关系,以建立满足全球计算需求激增的人工智能基础设施

SK海力士 英伟达

存储器

韩国预计将在西南部建设四座芯片厂 投资约800万亿韩元

6月29日,在韩国国家级产业项目发布会上,韩国产业通商资源部长官金正官对外公布新一轮半导体产业布局方案...

SK海力士 三星电子

制造/封测

SK海力士开始供应下一代面向AI的存储器 “HBM4E”12层堆叠样品

2026年6月18日,SK海力士宣布,公司已向主要客户供应12层HBM4E样品,该产品是面向人工智能(AI)的下一代超高性能DRAM...

存储器 SK海力士 HBM4

存储器

以“钼代钨”!存储巨头375层NAND量产在即

SK海力士(SK hynix)已完成375层3D NAND闪存的生产验证,并计划着手将该技术导入量产线,预计将于今年年底开始大规模量产...

SK海力士 NAND Flash

存储器

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