来源:全球半导体观察 原作者:Flora
根据韩国媒体报道,尽管全球经济低迷,但由于IC设计公司和晶圆代工厂对光掩膜的需求强劲,使得光掩膜的短缺现象目前仍在持续。
消息人士称,光掩膜制造商增加的产能不足,难以满足需求,2024年商品价格上涨将不可避免。
资料显示,半导体制造环节中所需的材料多达数百种,按照类别划分主要包括硅片、光掩膜、光刻胶及配套试剂、电子气体、工艺化学品、溅射靶材、抛光材料等,光掩膜虽然在其中占比虽然没有硅片高,但其重要性同样不容忽视。
光掩膜的作用主要体现在半导体生产工艺的光刻环节,掩膜上印有集成电路的图形、工艺等信息,光刻机将这些图形曝光在涂有光刻胶的晶圆上,然后经过显影、清洗等步骤,就能把图形转移到晶圆上。
由于芯片内部结构复杂,一层掩膜难以包含全部电路信息,所以往往需要多层掩膜协助生产,随着芯片制程日益先进,电路图案也更加精细,所需的掩膜层数也就越来越高。例如,成熟制程可能需要30层光掩膜,而在最新的先进制程中则可能需要多达70到80个光掩膜来处理。
因此,随着晶圆代工厂商不断发力先进制程工艺,光掩膜需求将随之增加。
目前全球光掩膜市场格局以海外厂商占主导地位,同时国内厂商也在积极布局。
海外厂商中,包括凸版印刷(Toppan)、Photronics和DaiNippon Printing的工厂当前的产能利用率都维持在100%。凸版印刷公司在其最新单季财报(7月至9月)中表示,预计2023年对光掩膜的强劲需求将持续,该公司计划通过其全球生产设施扩大其光掩膜产能。DaiNippon Printing也在4月至9月期间的半年财报中看好未来市况。
国内厂商方面,今年11月,冠石科技对外表示,公司投资建设的光掩膜版项目目前处于建设阶段,首批设备交付后预计2025年公司即可实现45nm光掩膜版的量产,待全部设备交付后预计2028年可实现28nm光掩膜版的量产。待项目全部建成以后,将具备年产12,450片半导体光掩膜版的生产能力,产品制程覆盖350-28nm(其中以45-28nm成熟制程为主)。
此前10月,清溢光电对外透露,半导体芯片掩膜版技术方面,公司已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证及量产,同步开展130nm-65nm半导体芯片掩膜版的工艺研发和28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。
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