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高容量MLCC技术再突破!微容获得业内首个MLCC陶瓷晶粒分析方法发明专利

来源:全球半导体观察       

3月14日,微容科技官方公众号消息,近期微容获得国家知识产权局颁发的发明专利证书:《一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法》。

此项发明专利凭借其创新性与突破性,不到4个月的时间就通过了国家知识产权局的授权。

图片来源:微容科技

MLCC的高容量性能主要通过精密的材料和多层电极堆叠实现,其中关键的陶瓷介电材质已经进入纳米级的水平,对于这样精密材料的深入研究,需要使用精密的分析方法。

目前常用的陶瓷晶体形貌分析方法是化学腐蚀法,它操作简单方便,但对于于粒径较小的粉体以及耐酸腐蚀性强的粉体效果不明显。所以,对于高容量MLCC中使用的更精密的材料分析,热腐蚀法更能满足要求。然而,热腐蚀条件复杂,设备要求高,目前行业都没有公开的MLCC介质热腐蚀方法相关专利或资料。  

为了解决这个高容量MLCC研发的关键问题,微容科技黄博士带领行业资深研发人员,利用升温速率达到10000℃/小时的烧结设备,探索出晶界挥发而晶粒形态保留的最佳条件和处理方法,成功应用于烧结后陶瓷介质的分析。

因此,微容科技表示,该项专利是行业首个关于MLCC介质结构分析的发明专利,对高容量MLCC的研发与生产具有重大意义。