烁科晶体：12英寸碳化硅衬底成功研制！

2024年12月31日，据中国电子材料行业协会消息，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司近日成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅单晶衬底。

在产能建设方面，烁科晶体碳化硅二期项目在2024年10月通过竣工验收，标志着该项目正式投产。二期项目的建成，预计将为烁科晶体带来每年新增20万片6-8英寸碳化硅衬底的产能，其中包括N型碳化硅单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年。

在8英寸进展方面，烁科晶体于2021年8月研制出8英寸碳化硅晶体，随后在2022年1月，烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。晶圆尺寸增大意味着每片晶圆上可以制造更多的芯片，从而提高了生产效率。不仅降低了单个芯片的生产成本，还使得整体制造成本得到优化。因此，大尺寸晶圆在经济上具有更高的效益，为制造商带来了更大的竞争优势。

目前，大尺寸晶圆已成为各大厂商共同追求的目标。除烁科晶体外，天岳先进已于2024年11月13日发布了12英寸N型碳化硅衬底产品，标志着碳化硅产业正式迈入超大尺寸碳化硅衬底时代。尽管目前碳化硅衬底领域正在由6英寸向8英寸转型，但未来向12英寸演进已具有较高的能见度。