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长假将至备货买盘力道暂退却,现货价小幅下跌;USB 3.0规格今年问世,预计2009年开始影响随身碟市场
2008-02-05 10:24:12
DRAM价格稳定DDR2 512Mb均价仍守住一美元关卡DRAM现货价自一月初发动回升行情,DDR2 512Mb eTT由0.8美元上涨至碰... [查看更多]
相变内存技术细节
2008-02-05 00:00:00
业界处理速度最快和最经济的存储设计分别是采用固有泄漏存储单元的SRAM(静态内存)和DRAM(动态内存),因此,它们需要连续供电,如果是DR... [查看更多]
DRAM价格稳定DDR2 512Mb守住一美元;iPod和iPhone仍为 2008年影响NAND Flash市场需求的最重要产品之一
2008-01-29 14:12:23
DRAM价格稳定DDR2 512Mb守住一美元DRAM现货价经过一周(1/17-1/21)激情地演出,价格强劲反弹15.6%,上周(1/22... [查看更多]
IC芯片封装形式全面解析
2008-01-27 00:00:00
是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电... [查看更多]
DDR2 eTT 1Gb现货价劲扬23%,一月下旬合约价持平或微涨3%;Apple展示令人惊艳的MacBook Air可选配64GB SSD
2008-01-22 17:59:01
由于部分DRAM厂与客户在去年十二月即与客户敲定一月的合约价,维持价格持平状态,而一月下旬新谈的合约价,至少调涨2-3%。虽现货价大涨15%... [查看更多]
筑底完成,DDR2 512Mb逐步走坚,上攻1美元;UMPC与MID搭配无线宽带网络将带来NAND Flash的新应用商机
2008-01-15 15:59:06
加速生产1Gb无疑是DRAM厂降低成本最迅速的方法,而DDR2 1Gb价格转变为较2颗512Mb低,也宣布市场主流已转向1Gb,但后续1Gb... [查看更多]
NB市场持续成长可望吸收部份DRAM产出;漫谈2008年NAND Flash市场发展概况
2008-01-08 14:26:43
DRAM 合约价止跌回稳价格隐约有支持;NB市场持续成长可望吸收部份DRAM产出上周现货市场DDR2 512Mb eTT价格呈现下滑的价格走... [查看更多]
内存性能提高的原理
2008-01-07 00:00:00
但是它们都是基于原始的DRAM 单元,实际上,它是一个晶体管和一个电容的结合体,很简单但也很高效。有很多尝试希望丢弃这种阵旧的以晶体管为基础... [查看更多]
DXI打W底,短期呈底部整理,蕴酿反弹契机;ITRS & IEDM 论坛揭橥NAND Flash未来技术新走向
2008-01-02 17:38:42
蕴酿反弹契机DRAMeXchange所推出的DXI,本身代表DRAM产业的产值,不仅显现其对DRAM产业景气的敏感度,且具有DRAM厂股价领... [查看更多]
台系DRAM厂明年决胜,技术与资金是关键;欧美年终销售旺季过后 中国将成1Q08 NAND Flash需求的主要市场
2007-12-25 12:00:00
DRAM合约价续跌10%,部份OEM厂逆势买进;台系DRAM厂明年决胜,技术与资金是关键上周现货市场DDR2 512Mb eTT价格呈现上扬... [查看更多]