2014年记忆体产业年终盘点

前言
综观整个2014年，记忆体行业整体比较乐观。DRAM三分天下局面让厂商以获利为前提，不再轻易厮杀，市场相对稳定，标准型内存产出由于受到行动式内存的挤压，使其价格维持在相对较高水位，成为DRAM厂的香饽饽。NAND Flash价格随着淡旺季涨涨跌跌，产业受季节波动变得日益明显，当1Y纳米成为微缩制程瓶颈后，新技术新产品又成为兵家必争之地，各厂商积极推出相关TLC嵌入式产品，重点布局3D NAND Flash，以求抓住先机。由于NAND Flash价格的迅速下滑，SSD的价格来到了甜蜜点，今年进入快速成长期，产品竞争相当激烈。除此之外，NAND Flash控制器芯片厂商也屡屡上新闻头条，主控市场陷入混乱局面，版图争夺赛已经拉开帷幕…精彩不多说，让我们一起来回顾下2014年记忆体产业的重要看点。

DRAM
今年是DRAM产业获利较为丰收的一年。受惠于全球智能型手机持续热销，一线DRAM大厂产出比重最高的产品并非传统的标准型内存而是行动式内存。行动式内存已跃升全球DRAM市场主流产品，随着位元产出的增加，虽然整体价格延续前两年继续下跌，但总产值仍持续向上提升，其中三星以逾50%的市占成为霸主。

标准型内存现已是成熟又萎缩的产品，既没有往年大涨大跌行情，也没有厂商比投资快的现象，即便偶有关于投资增产或厂商杀价的传闻，市场也只是呈现一时行情，影响不大。拜行动式内存需求旺盛所赐，标准型内存产出相对减少，今年模组价格始终维持在高价水位，4GB模组均价32美元，毛利率平均达40%以上。尽管DDR4在2016年才可望跃居市场主流，但今年模组厂商纷纷推出DDR4产品，期望能抢占市场先机。

服务器内存除要求稳定外，也要求效能和低耗电，在英特尔强势主导，与DRAM厂全力配合下，DDR4内存将快速切入服务器市场。由于物联网、穿戴及智慧家庭商机发酵以及三大DRAM厂退出低容量利基型内存市场，造成利基型内存供不应求，使得利基型内存厂商赚得满盘金钵。在整个DRAM产业中，中国市场DRAM消耗量惊人，据集邦DRAMeXchange统计，以2Gb颗粒来算，2014年的消耗量为47.89亿颗，产值高达102亿美金。    

NAND Flash
NAND Flash市场应用越来越广，除了智能手机平板等行动装置采用eMMC或eMCP，笔电及数据中心也开始搭载SSD，连今年很红的物联网或智能穿戴，也需内建NAND Flash，NAND Flash产业的受淡旺季波动变化日益明显，也越来越稳定。伴随NAND Flash制程演进到1Y纳米以下的速度加剧，相关NAND Flash应用如eMMC、SSD市场成长转趋强劲，而中国行动装置市场成为国内外品牌和OEM厂商的重要市场的同时，也强力推升中国市场对于NAND Flash消耗量的增加。据集邦DRAMeXchange统计，2014年中国市场消耗了35.18亿颗NAND Flash，产值高达63亿美金。

凭借着较佳的性能价格比的TLC嵌入式产品，三星在eMMC/eMCP与Client-SSD的市场取得相当的成功，而其他业者自今年下半年起也陆续推出相关TLC的嵌入式产品，PC与行动装置品牌业者也都开始采用TLC产品，苹果的iPhone6及iPhone6 Plus首度采用TLC作为存储装置，更直接驱动其他业者提高使用比重。

NAND Flash芯片微缩制程遭遇到瓶颈，3D垂直堆栈技术将成兵家必争之地。今年内各厂商采用增资新旧改建等方式，积极布局3D NAND制造基地，积极投入研发， 综观全年，整体产出仅属萌芽阶段。目前各厂商布局情况：三星，韩国厂和5月开工的西安厂为主要制造基地，32层V-NAND 已量产；东芝和新帝，投资五千亿日元建成Fab5第二期以及改建Fab2旧厂，准备用于量产3D NAND ，目前无产品面世；SK海力士，送样测试阶段；英特尔和美光，送样测试阶段；旺宏，八九成的研发资源投入3D NAND技术研发。

SSD
由于价格迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技术逐渐扩散，使得经历至少五年休眠期的SSD，今年终于进入快速成长期。在消费级市场，由于商务笔电对于存储装置的稳定性与高效能有较高要求，商务笔电SSD搭载率有明显提高；在企业级市场，来自于云端运算与手机应用程序对于及时存取的需求增加，数据中心及服务器业者对于企业级SSD的容量需求持续上升。面对强劲的市场需求，除原有的SSD厂商外，芯片厂商、传统硬盘大厂也都积极跨入SSD市场，规划布局，推陈出新，抢占市场先机。目前国内市场上可见的SSD品牌有二三十个，产品竞争相当的激烈。

当前TLC SSD除了一些可能我们名不见经传的白牌以外，三星和新帝有生产出TLC SSD，值得一提的是，三星于年底前推出了使用TLC 3D V-NAND的SSD新品。

控制芯片
随着NAND Flash市场应用越来越广， NAND Flash控制器厂商的竞争局面今年也比往年显得更加混乱。U3控制芯片市场由群联、银灿、慧荣三分天下。eMMC控制芯片中，三星和东芝仅采用自家芯片，海力士采用慧荣和自制控制芯片，新帝采用外包加上自制混合策略，美光采用群联和Marvell控制芯片，金士顿采用群联控制芯片，TLC eMMC将是控制器芯片厂商争夺的重点。

今年SSD控制芯片市场也相当热闹，各相关业者积极抢食大饼。SSD主控芯片版图已展开大洗牌，希捷通过购并LSI，加强其服务器促成存储产品竞争力，与三星，英特尔一起成为企业级市场的主要竞争者。在OEM SSD市场，三星全采自制控制芯片，新帝、英特尔、东芝、SK海力士则为外包加上自制混合策略，美光与光宝则完全采外包方式，DRAMeXchange分析师陈玠玮认为，短、中期内，OEM市场Marvell仍处外包市场的龙头地位，不过渠道SSD市场，首选LSI。终端SSD控制芯片市场则由智微、群联、慧荣瓜分，TLC SSD控制芯片PS3110和SM2256S相继推出，也意味着群联和慧荣正全力冲刺SSD市场。

行业大事件
2014.1 尔必达计划斥资800亿日元扩增设备，扩大芯片产量；瑞萨计划裁员，重振公司运营
2014.2 东芝投下400亿日元更换NAND Flash生产基地四日市工厂Fab 5设备，借此扩增产能
2014.4 集邦查证海力士曝光设备出状况属谣言
2014.5 三星电子西安厂宣布投产，以生产10纳米芯片和3D NAND Flash芯片为主
2014.5 三星宣布开始量产全球首款32层 3D V-NAND
2014.5 希捷宣布以4.5亿美金收购Avago底下的ASD（Accelerated Solution Divison）和FCD（Flash Components Division）两个部门
2014.6 SK海力士宣布收购美商PCIe部门，强化NAND Flash闪存竞争力
2014.8 SK海力士向无锡DRAM工厂投资1亿美元，在于提高无锡DRAM工厂生产线的微细工艺技术
2014.8 美光入股金士顿电子
2014.9 东芝和新帝携手投资五千亿日元建成Fab5第二期以及改建Fab2旧厂，准备用于量产3D NAND
2014.11 联发科入股金士顿电子