【一周热点回顾】国家存储器基地项目正式开工；台积电10纳米进入量产阶段

国家存储器基地项目正式开工

12月30日，总投资240亿美元、总占地面积1968亩的国家存储器基地项目在武汉东湖高新区正式动工建设。该存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，主要生产存储器芯片。

据悉，该项目将以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。未来将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。

项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，预计到时将实现30万片/月的生产规模，到2030年生产规模将达到100万片/月。

无巧不成书，就在同一天，华力微12英寸先进工艺生产线也举行了开工仪式。该项目总投资达387亿元，主要从事逻辑芯片生产，规划月产能为4万片，设计工艺为28-20-14纳米。根据规划，该项目将在2017年底完成基建工程，2018年底完成工艺集成和试生产。

SK海力士明年量产72层3D NAND存储器？

随着半导体工艺制程遭遇瓶颈，加上原厂在加速将2D NAND Flash转向3D NAND Flash的过程中，制程转换良率普遍趋缓，使得NAND产品均处于缺货状态。为抢占市场占有率，不少存储器厂商开始蠢蠢欲动，加大对3D NAND的投资布局。

各大厂商之间的堆层叠数之战也悄然开打。自三星电子在今年8月份宣布从第四季度开始量产64层3D NAND Flash之后，东芝也加速推动3D NAND Flash的研发量产工作，市场甚至曾传出东芝要在今年第三季度量产64层3D NAND Flash，只不过到目前为止也没有确认量产的消息出来。

与三星电子和东芝不同的是，韩国存储器大厂SK海力士在完成48层3D NAND Flash技术研发（预计今年年底量产）之后，并没有研发64层3D NAND的计划，而是选择跳过64层产品，直接量产72层3D NAND。

据韩国媒体报道，SK海力士72层产品将在2017年上半年完成研发，预计2017年下半年在韩国利川M14厂进行量产，届时，SK海力士将成为全球第一个量产72层3D NAND的存储器厂商。

此外，SK海力士最新的投资计划显示，将投资3.15万亿韩元（约27亿美元）在韩国和中国建新厂、扩产能，其中，2.2万亿韩元用于在韩国清州布局建设NAND Flash工厂，9500亿韩元用于扩大中国无锡厂DRAM产能。

台积电10纳米进入量产阶段

针对此前外界传出台积电10纳米制程良率低于原先预期的消息，台积电12月26日辟谣称，10纳米制程正在按计划进行，目前已经进入量产阶段，2017年第一季度即可带来营收。

在全球晶圆代工领域，目前主要以台积电、三星和英特尔三家厂商为主。不过从三方现在的进度来看，10纳米制程方面，台积电依然会领先同业。

三星虽然是全球首家量产10纳米工艺的厂商，并且拿下了高通骁龙835处理器的大单，但是台积电有苹果（A10X处理器）、联发科（Helio X30处理器）和海思（麒麟970）三大客户保驾护航，加上有半导体业内人士称，台积电10纳米制程良率的稳定度将优于三星。因此，整体来看，台积电与三星在10纳米制程的较量上，或许还是前者略胜一筹。

至于英特尔的10纳米工艺制程，其产品量产时间已经被推迟到2017年下半年，对台积电无法造成太大的威胁。另外，其投资的晶圆厂主要是用于生产自家的中央处理器，大部分产品都交由台积电代工，所以，与三星的竞争关系不同，台积电英特尔的关系更趋近于合作伙伴。

OPPO投资15亿印度建工业园

近年来，中国智能手机市场已经趋于饱和状态，为寻找新的突破口，抢占市占率，不少手机品牌厂商纷纷将目标瞄准海外市场。而作为仅次于中国的全球第二大智能手机市场，印度无疑成为了手机制造商进军海外的首选目标。

目前，联想、小米和一加等品牌均已布局印度智能手机市场，并且取得了较好的成绩，华为也在今年9月宣布将与电子制造商Flex India1合作在印度生产智能手机，并定下了“2017年夺取10%市场份额”的大目标。

12月28日，最近几年在智能手机市场风头正盛的国产手机品牌OPPO也宣布了一项重要的投资计划，即未来将在印度诺伊达投资2.16亿美元（约合人民币15亿元）建设新的工业园。

据悉，该工业园占地面积将达到1000英亩（约合404公顷），设施包括生产基地和SMT产线，建成后，初期智能手机产能将达到5000万台/年，后期产能将提升至1亿台，预计3年内正式投入运营。

事实上，OPPO在印度已经有生产工厂，只不过是以租赁的方式而存在，但此次OPPO的印度工业园是跟政府直接签约，归OPPO所有，这无疑是OPPO布局印度市场的重要战略举措，在工业园建设期间和工业园初期，OPPO老工厂将会同时并行运转。

高通魅族和解

2016年的智能手机市场，最大的热点非高通和魅族的手机专利大战莫属。

今年6月，高通在北京知识产权法院向魅族提起专利诉讼，并且提出5.2亿元的赔偿金额，但魅族“愿为专利付费 但需合理费率”的回应却让人为其捏了一把冷汗，毕竟已经有100多家中国公司与高通签订了专利许可协议，这也让这一诉讼案的结果变得更加扑朔迷离。

不过，就在12月30日，这一备受关注的专利纠纷案终于落下帷幕，高通中国官网发布消息称，和魅族已经同意采取适当步骤终止或撤回专利侵权诉讼及相关专利无效或其他相关诉讼，并且与魅族达成了专利许可协议。

根据协议条款，高通授予魅族在全球范围内开发、制造和销售 CDMA2000 、 WCDMA 和 4G LTE（包括 “三模” GSM、TD-SCDMA和LTE-TDD）终端的付费专利许可。魅族在中国应支付的专利费用与高通向中华人民共和国国家发展和改革委员会所提交的整改措施条款相一致。

据悉，该协议解决了高通魅族在中、德、法、美四个国家的所有专利纠纷。