2018三星或扩产DRAM；SK海力士86亿美元投资无锡；兆易创新180亿开发19纳米DRAM制程

2017年下半年，全球DRAM市场依旧延续此前供不应求的吃紧态势，加上下半年智能手机等智能终端产品进入消费旺季，使得DRAM合约价也一直居高不下。不过明年DRAM紧俏局面或许将被打破。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，三星正在考虑明年扩大DRAM产能。之所以考虑扩产计划，是因为三星希望能长期保持其在DRAM市场的领先地位，并且与其他DRAM大厂维持1-2年以上的技术差距，而SK海力士、美光等厂商近期都传出建厂扩产、及制程升级计划，因此不得不有此考虑。

三星的计划是将平泽厂二楼原定兴建NAND的产线部分转往生产DRAM，加上原有Line17仍有部分扩产空间，此举可使其2018年的DRAM产出量提升8万-10万片，而整体产能也将由今年底的39万片提升至50万片。

DRAMeXchange预计，明年DRAM市场整体供给年增长率将高于今年的19.5%，达到22.5%，而DRAM供需缺口也将被填平。

SK海力士86亿美元投资无锡

2005年，SK海力士株式会社与中国无锡市政府达成战略合作，在无锡综保区投资建设了12英寸集成电路生产基地。在接下来的12年，经过多次增资和技术升级，目前累计投资已达105亿美元。

最新消息是，为深化双方进一步战略合作，SK海力士计划再次增资加码无锡，总投资金额达86亿美元，目前双方已于10月29日就海力士新上二工厂项目签约。

据TechNews科技新报报道，该项目主要生产1X纳米制程等级晶圆，兴建完成之后，将形成月产能20万片晶圆生产基地，年销售金额由目前的19亿美元增加至33亿美元。至于该项目更详细的时程安排和计划，SK海力士官方则暂未做出说明。

此次合作，将进一步巩固SK海力士无锡工厂在全球生产、研发总部的地位。加上华虹无锡集成电路研发制造基地和天津中环无锡集成电路大硅片两大项目的推动，也将为SK海力士在无锡的发展提供支撑。

68亿！张汝京拟联手IC设计公司建CIDM项目

自今年6月不再担任上海新昇半导体总经理一职以来，被业界成为“中国半导体教父的”张汝京博士的去向便成了谜，也成为业界关注的焦点。

不过，据广州日报报道，张汝京及团队计划联合芯片设计公司、终端应用企业与芯片制造厂，共同投资建设协同式芯片制造（CIDM）项目，目前已经于9月与黄埔区政府、广州开发区管委会签署了项目合作备忘录。该项目一期总投资金额约为68亿，用地面积约20万平方米，产能设计为3万片/月8寸芯片、1万片/月12寸芯片，预计产值达到31.6亿元。

CIDM模式是由芯片设计公司、终端应用企业与芯片制造厂共同参与项目投资，通过成立合资公司将多方整合在一起，在保证设计公司拥有制造厂专属产能及技术支持的同时，也能保证制造厂得到市场保障。

该项目建成后，不仅有望填补广州“缺芯困境”，同时也有望带动更多集成电路产业上下游企业布局CIDM项目。

兆易创新180亿开发19纳米DRAM制程

众所周知，兆易创新是我国NOR Flash龙头企业，2017年前三季度实现营收15.2亿元，同比增长44.7%，归属于上市公司股东净利润3.4亿元，同比增长134.7%。

不过，随着中国存储器市场投资热潮的兴起，兆易创新开始将产业拓展至DRAM领域。为抓住DRAM市场商机，10月26日，兆易创新与合肥市产业投资控股（集团）有限公司（以下简称“合肥产投”）共同签署了《关于存储器研发项目之合作协议》。

兆易创新发布的合作协议公告显示，双方将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19纳米存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目。目标是在明年底前研发成功，实现产品良率（测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例）不低于10%。

据悉，该项目预算约为180亿元，由兆易创新与合肥产投根据1:4的比例负责筹集，即兆易创新出资36亿元，余下的144亿元由合肥产投出资。

如顺利实施，该项目将有助于丰富兆易创新产品线、获得充足产能供应，提升核心竞争力和行业影响力，同时也有望成为兆易创新新的增长动能。