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【专题报导】【一周热点】2019年NAND市场恐供过于求;大基金超9亿美元注资华虹;发改委调查 存储器价格添变数?

来源:全球半导体观察       

2019年NAND市场恐供过于求

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)此前预测,2018年上半年和下半年的NAND Flash市场将分别呈现出供过于求和供给吃紧的不同走势。

近日,DRAMeXchange预测2019年市场走势称,由于各大厂商陆续宣布NAND Flash产能扩增计划,预计2019年该市场将再度进入供过于求的局面。目前,已经宣布扩产计划的存储器厂商包括东芝、三星、英特尔、长江存储等。

2019年NAND市场恐供过于求;大基金超9亿美元注资华虹;发改委调查 存储器价格添变数?

其中东芝除了将继续与西数合作,启动共同运营的日本四日市合资厂Fab6工厂的96层3D NAND Flash扩产计划外,还将在日本岩手县新建Fab7的闪存工厂,主要投产96层以上的3D NAND Flash,预计2019年下半年后量产。

SK海力士则将在韩国清州厂区兴建一座M15新厂,同样以投产96层以上3D NAND Flash为目标,预计2019年可正式进入运营。

而备受关注的长江存储也将在今年下半年进入运营阶段,初期投产32层3D NAND Flash产品,并致力于64层产品的开发。此外,英特尔大连二期以及三星西安二期产能也将持续扩大。

大基金超9亿美元注资华虹

根据2018年1月3日华虹半导体有限公司(以下简称“华虹半导体”)发布的公告,国家集成电路产业投资基金(以下简称“大基金”)共向华虹注资9.22亿美元。

其中4亿美元用于认购华虹半导体股份,5.22亿美元用于注资合营公司华虹半导体(无锡)有限公司(以下简称“华虹无锡”)。

根据双方签订的认购协议,华虹半导体拟向大基金发行约2.4亿股,认购价每股12.9港币,大基金占股18.94%。认购事项完成后,大基金将成为华虹半导体的主要股东。

增资协议则显示,除华虹半导体、华虹宏力及无锡锡虹联芯投资有限公司(以下简称“无锡锡虹联芯”)将分别向华虹无锡增资4亿、5.18亿美元、3.6亿美元外,大基金也将向华虹无锡增资5.22亿美元。

增资完成后,华虹半导体、华虹宏力、大基金、以及无锡锡虹联芯四大增资方将分别持股华虹无锡22.2%、28.8%、29%、以及20%,未来华虹无锡依然是华虹半导体的子公司。

公告显示,华虹无锡将从事集成电路设计、研究、制造、测试、封装及销售,预期生产首期将每月生产约4万片12英寸(300mm)晶圆,这意味着中国12英寸晶圆代工厂将再添新军。

发改委调查 存储器价格添变数

根据DRAMeXchange资料,去年第三季三星在全球DRAM产值的市占率为45.8%,为全球第一;NAND产值的市占率约为37.2%,同样稳居第一。

因此,2017年12月底国内发改委约谈存储器龙头厂商三星半导体,无疑给正处于议价关键时期的DRAM与NAND Flash等各类别存储产品的价格走势增添了变数。

就类别来看,在目前DRAM市场缺货最严重的服务器内存领域,原厂对产能计划趋于保守,2018年上半年服务器市场供给仍将受限。所以即使市场有消息称发改委将介入价格制定,对价格涨幅的影响也是有限的。DRAMeXchange预计,今年上半年服务器内存价格仍然会延续涨价走势。

尽管目前整体DRAM市场仍处于供给吃紧的局面,三星等存储器厂商依然调涨了对中国智能手机厂商的报价,但在发改委的介入下,行动式内存涨幅已较先前有所收敛,从原先的5%的季成长缩小为约3%。

紫光国际IC城项目正式启动

近几个月以来,紫光集团投资的多个半导体项目都有了新的动态。继此前国家存储器基地项目长江存储一期厂房实现提前封顶后,紫光集团在成都的半导体项目也于近日迎来重大进展。

1月4日,四川天府新区重点项目集中开工暨紫光IC国际城项目在天府新区正式启动。

2019年NAND市场恐供过于求;大基金超9亿美元注资华虹;发改委调查 存储器价格添变数?

作为近年来在成都投资最大的新兴制造业项目,紫光IC国际城项目总投资额超2000亿元,瞄准我国高端集成电路产品设计、制造等薄弱环节,将建设12英寸晶圆芯片制造工厂、紫光科技园与国际社区等子项目。

该项目全部建成后,不仅将实现月产30万片12英寸3D NAND闪存晶圆,还将涵盖从设计到封测的芯片相关业务,以及紫光集团“从芯到云”的完整产业链。

紫光集团董事长赵伟国表示,此次启动的天府新区紫光IC国际城项目是紫光集团在芯片制造领域的三大布局之一,也是中国集成电路崛起的关键战役之一