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NAND Flash相关资讯

国际最新研究将3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍

据媒体报道,近日,研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分....

NAND Flash 存储技术

存储器

NAND Flash厂商2025年重启减产策略,以缓解供需失衡和稳定价格|TrendForce集邦咨询

根据TrendForce集邦咨询最新研究报告指出,NAND Flash产业2025年持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布减产...

NAND Flash

市场观察

存储市场迎三大挑战!

刚刚过去的2024年,存储市场上演了一出“冰与火之歌”:终端市场消费电子复苏迟缓,AI应用则继续强势突围。存储产品因而开启两极化发展:消费类存储...

DRAM 存储器 NAND Flash

存储器

存储大厂预警NAND增长不及预期,高端DRAM等被押注

近日,存储大厂美光、三星纷纷披露最新市况。美光方面披露将投资21.7亿美元扩大其DRAM内存生产,近期其也公布了2025财年第...

DRAM 存储器 NAND Flash

存储器

原厂库存增加与淡季需求疲软,预计1Q25 NAND Flash价格将出现超10%下滑|TrendForce集邦咨询

根据TrendForce集邦咨询最新调查,2025年第一季NAND Flash供货商将面临库存持续上升,订单需求下降等挑战,平均合约价恐季减10%至15%...

NAND Flash

市场观察

半导体存储大厂技术革新!

据韩媒BusinessKorea报道,半导体存储大厂三星电子已完成400层NAND技术研发,并开始导入产线....

三星电子 NAND Flash 存储技术

存储器

三星完成突破性400层NAND技术开发

近日,据市场最新消息,三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移...

NAND Flash 存储芯片

存储器

JEDEC带来增强型NAND闪存接口标准

JEDEC固态存储协会宣布,推出JESD230G:NAND闪存接口互操作性标准。其引入了4800 MT/s的速率,相比于2011年发布的第一版....

NAND Flash 闪存 存储技术

存储器

SK海力士宣布固定股息上调25%, 公布股东回报新政策和价值提升计划

2024年11月27日,SK海力士公布了2025年至2027年间的股东回报政策和企业价值提升(Value-up)计划...

DRAM SK海力士 NAND Flash

存储器

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