江苏第三代半导体研究院取得新专利

2025年3月24日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“一种前驱体封装容器及气相沉积系统”的专利，授权公告号 CN 222648108 U，申请日期为 2024年6月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种前驱体封装容器，包括：第一腔体，第二腔体，缓冲腔体，通断控制组件和充抽组件。第一腔体用于容置液态前驱体和固态前驱体，第一腔体具有第一进气管和第一排气管，第一进气管输入的载气携带液态前驱体后与固态前驱体的蒸气混合并经第一排气管排出；第二腔体与第一腔体之间设置有第一挡板，第二腔体通过第一挡板向第一腔体补充液态前驱体该前驱体封装容器通过缓冲腔体和第二腔体配合充抽组件能够从外部向第一腔体补充液态前驱体，可以延长封装容器的使用时限，保持容器内部液态前驱体容量以为载气提供足够的接触路径，保证载气所携带的前驱体浓度，为后续气相沉积工艺提供稳定的前驱体来源，保证沉积成膜质量。

江苏第三代半导体研究院有限公司于2019年7月26日在苏州工业园区成立，是由江苏省、苏州市、苏州工业园区与相关联盟及核心运营团队共建的新型研发机构。2021年4月，科技部批准以其为主体建设“国家第三代半导体技术创新中心”。公司聚焦第三代半导体关键共性技术研发，成果转化，产品涵盖半导体材料、器件等，还提供测试分析等服务 。