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【存储器】库存尚未去化完成 DRAM跌势恐持续至第3季

来源:台湾经济日报       

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,受库存过高影响,DRAM第1季合约价跌幅持续扩大,整体均价已下跌逾20%。但在价格加速下跌的状态下,并未刺激需求回温,交易仍显清淡,预期DRAM均价在库存尚未去化完成影响下,跌势恐将持续至第3季。

根据DRAMeXchange调查,累积在DRAM供应商的库存水位在第1季底普遍已经超过6周 (含wafer bank),买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减,但平均至少达5周,在服务器以及PC客户端甚至超过7周的水位。

进入第2季,受惠于1Ynm制程贡献,供给位元仍持续成长,在极力消化库存的考量下,DRAM供应商普遍采取持续大幅降价的策略以刺激销售;与第1季相似,跌幅最大的产品别为PC与服务器存储器,跌幅约两成,行动式存储器受惠于新机潮的拉货动能得以跌幅较小,约10~15%,预估DRAM均价在第2季将持续下跌近两成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收敛,则取决于需求端的回温以及第2季底库存去化的成效。DRAMeXchange分析,今年各产品的DRAM平均搭载容量成长表现将不若去年,因此,终端需求的回温扮演着DRAM景气是否落底的关键因素。单纯就供需的预测来看,上半年供过于求的状况远高过下半年,预期价格跌幅在今年第3季与第4季可望逐渐收敛。

观察DRAM各应用别今年的价格走势,由于库存水位较高的关系,自去年第4季以来,以标准型存储器与服务器存储器的跌幅最为明显。以PC需求面来说,今年缺乏刺激出货量成长的因素,再加上intel CPU缺货状况在中低阶机种仍未缓解,出货不振的状况在上半年特别显著。

以主流标准型存储器模块8GB解决方案来看,第1季度的价格已经下滑近3成,最低价已落在近40美元,展望第2季,均价持续下探35美元,年底恐怕要挑战30美元关卡。

服务器经历连续两年的需求高峰后,第1季由于库存偏高,加上进入传统OEM的淡季,备货动能见到显著衰退,虽然3月开始,部分北美资料中心业者开始陆续洽单,但整体采购力道仍未明显复甦。

现阶段供需双方普遍库存偏高,在既有库存去化与需求动能恢复前,预估服务器存储器价格将持续走跌,DRAMeXchange预估,第2季仍将有两成左右的跌幅,第3与第4季也会维持接近1成左右的降价空间。

在行动存储器方面,第1季受到智能型手机市场需求不旺,生产总量较去年同期衰退逾10%的影响,行动存储器供应商库存无法有效去化,导致价格持续下探,discrete及eMCP产品平均跌幅接近2成,市场报价混乱。

展望第2季以及第3季,除受惠Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升外,也同时受惠传统市场旺季,整体需求将转趋热络,预估合约价跌幅将较第1季收敛,不过考量今年智能型手机总生产数量将呈现负成长,中、低阶手机平均搭载容量成长有限,第2、3季的合约价格依旧难以止跌。

就利基型存储器价格走势来看,农历假期过后,中国有部分机上盒、网通标案订单出现带动小量拉货需求,但一次性标案结束后,整体需求仍然疲软。DDR3供给仍高于需求的情况下,预期今年第2季与3季利基型存储器价格仍将分别走跌15%与10%。

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