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【存储器】内存亮相!紫光存储携手西安紫光国芯闪耀MTS2020

来源:全球半导体观察       

在即将开幕的“2020存储产业趋势峰会”上,紫光存储不仅将展出全系列的闪存产品,还将携手西安紫光国芯带来备受关注的内存产品,全面展示NAND FLASH + DRAM的丰富产品线。

令人瞩目的是,西安紫光国芯研发设计的第四代内存DDR4 DRAM将在此次峰会上与公众见面。西安紫光国芯将展出从颗粒到模组全系列的内存产品,包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 DRAM颗粒,SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM模组产品,和世界首款商用内嵌自纠错DRAM,即ECC DRAM产品。

图1 西安紫光国芯的DDR4 DRAM颗粒

图2 西安紫光国芯的LPDDR4颗粒

图3 西安紫光国芯的DDR3 ECC DRAM颗粒

图4 西安紫光国芯的SO-DIMM内存模组

图5 西安紫光国芯的U-DIMM内存模组

图6 西安紫光国芯的R-DIMM内存模组

图7 西安紫光国芯的NVDIMM内存模组

西安紫光国芯一直专注于存储器,尤其是DRAM存储器的研发和技术积累。该公司在DRAM产品定义、设计、测试、量产和销售上建立了完整成熟的体系,累计二十余款芯片产品和四十余款模组产品,实现了全球的量产和销售。

图片声明:封面图片来源于正版图片库:拍信网

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