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中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破

来源:全球半导体观察整理       

4月10日消息,中国电子科技大学和韩国浦项科技大学科研人员在新型半导体材料和器件领域取得了重大突破!

据介绍,该项研究首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件,突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一突破将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。

相比于多晶半导体,非晶体系具有诸多优势,如低成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等。然而,传统的非晶氢化硅因电学性能不足而急需探索新材料。

目前非晶P型半导体面临着重大挑战,严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补金属氧化物半导体技术的发展。传统