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【制造/封测】总投资30亿元的IGBT模块设计封测项目落户无锡锡山

来源:全球半导体观察整理       

锡山经济技术开发区消息显示,6月20日下午锡山乡贤发展大会隆重举行。会议现场,总投资357.5亿元的24个项目集中签约,涉及集成电路、生物医药、高端装备、电子信息等产业领域。

图片来源:锡山发布

其中,IGBT模块设计封测项目,总投资30亿元,项目一期需用地60亩,用于建设功率半导体封装与设备产线,二期需用地40亩,用于后续8寸产线建设。据介绍,该项目投资方是国内IGBT企业,自主研发的工业级IGBT大规模量产,车规级IGBT成功流片并交付测试,立足于高端Cool MOS、硅基GaN器件等技术研发。

半导体封测设备项目,注册资本为12000万元,总投资估值6亿元,项目聚焦功率半导体设备及CIS设备。据悉,伊瑟电子在苏州、深圳以及台湾地区均设有工厂,此次拟将项目总部设在无锡,团队源自台湾地区知名大学的博士、硕士,已与富士通、士兰微、英飞凌等达成战略合作,客户包括华润、华天科技、中天科技等。

封面图片来源:拍信网