注册
找到 DRAM 相关文章 5018 篇
华东承启科技-布局产品广度和深度,才是致胜的最佳策略
2008-10-28 00:00:00
张大荣总经理日前接受DRAMeXchange访问时,兴奋的表达出他对公司经营策略的期 许。以下访谈内容将看出华东承启在耕耘产品线所下的苦工,... [查看更多]
友懋国际科技-以技术整合能力深耕品牌,强化产品竞争力
2008-10-28 00:00:00
友懋国际科技股份有限公司DRAMeXchange日前访问了GeIL-友懋国际科技股份有限公司,总经理 谢杰志(Jeff)先生在访谈中分享该公... [查看更多]
DRAM价格跌落现金成本以下,需求成长不佳,DRAM厂势必大规模减产因应;直通硅晶穿孔TSV:解决多层NAND Flash芯片堆栈困难的未来封装技术;Intel CPU新平台上市,有助内存规格改朝换代
2008-10-21 13:15:49
DRAM价格跌落现金成本以下,需求成长不佳,DRAM厂势必大规模减产因应DRAM DDR2 1Gb 667MHz现货价由今年五月六日高点$2... [查看更多]
常见内存技术术语
2008-10-16 00:00:00
而这内存芯片通常是DRAM芯片,但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上... [查看更多]
DDR2的技术革新
2008-10-15 00:00:00
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代... [查看更多]
DRAM: 美光正式取得奇梦达在华亚的股权,美光南亚联盟市占率大跃进;NAND Flash相关产品容量提升 合约价呈现涨跌互见情况
2008-10-14 10:10:46
对整体的DRAM产业帮助绝对是正面的,在技术上,华亚将不受限于70nm沟槽式技术,未来将技术转换为美光的68nm甚至于50nm的堆栈式技术,... [查看更多]
DDR3 DRAM Minimum CAS Latency Time (tAAmin)
2008-10-14 00:00:00
um timebase (MTB) units. tAAmin can be read off SDRAM data sheet.Based... [查看更多]
DDR3 DRAM Minimum RAS# to CAS# Delay time (tRCDmin)
2008-10-13 00:00:00
This byte defines the minimum SDRAM RAS# to CAS# Delay in (MTB) unitsB... [查看更多]
DDR3技术演进及未来发展; NANA Flash封装技术介绍
2008-10-07 16:08:14
DDR3技术演进及未来发展对于DRAM产业来说,2007与2008年绝对是艰困的二年,市场供过于求与DRAM厂的大幅扩产导致DDR2颗粒价格... [查看更多]
DRAM: 需求冷清,减产效应未现,短线价格持续悲观;slotMusic创造快闪记忆卡市场新需求;一刀两刃之Netbook
2008-10-01 15:48:48
DRAM厂纷纷宣布减产,力晶、尔必达、海力士分别在九月八日、九日、十八日做出宣示减产动作,只要如期进行,预计将减少全球DRAM产出5~6%左... [查看更多]