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明年Q1 NAND持续缺货 DRAM价格攀高
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)研究显示,今年第四季NAND Flash缺货情况将达到2016年以来的最高峰,并且将持续至明年的第一季度;而2017年将成为DRAM供给位元增长幅度最低的一年(低于20%),带动DRAM价格持续攀高。
NAND Flash方面,由于现阶段eMMC/eMCP与UFS等产品仍以2D NAND为主,无法满足华为、OPPO、vivo等国产手机品牌对高容量eMMC/eMCP订单的需求,成为2D NAND缺货最重要的因素。
此外,除三星以外,NAND原厂仍处在向3D NAND Flash转进的阵痛期,良率提升进展缓慢,这一境况在造成3D NAND市场供应吃紧的同时还将使得2D NAND供给快速下滑,让NAND缺货情况更加严重。
DRAM方面,目前,以三星、SK海力士和美光为主的DRAM产业寡占市场已经成熟,且从今年下半年开始,20纳米制程DRAM产品已经成为市场主流,最新的DDR4及LPDDR4也随之成为市场供货的热门产品,以4GB行动式内存为标配的中高端智能手机将成为持续带动DRAM价格攀升的重要因素。
版图生变?传希捷携SK海力士组公司合攻SSD
近日,有消息称,希捷(Seagate)将与韩国存储器大厂SK海力士成立合资公司,一起抢攻快速成长的SSD(固态硬盘)市场大饼。据悉,这是继西部数据(Western Digital,WD)与闪迪(SanDisk)合并之后,硬盘厂商与快闪存储器厂商的第二次合作。
爆料人士称,新公司成立后,希捷将持有新公司49%的股份,剩下51%的股权则由SK海力士掌握,初期目标锁定在企业级SSD,并逐步向PC与笔电用消费型SSD市场拓展。
毫无疑问,无论是西数与闪迪合并,还是希捷与SK海力士合组公司,未来都将在存储器市场掀起不小的波澜,尤其是对近期供应吃紧的NAND Flash而言,未来发展更是值得期待。
不过就目前的局势而言,双方合组公司可以实现互补双赢的局面。对于在消费型SSD市场市占仅4%、在企业型市场市占不到2%的SK海力士而言,可以借助希捷的力量提升其在SSD市场的份额。
而对于正面临衰退转型的希捷而言,要想在NAND Flash市场站稳脚跟,首要问题就是解决产品供应问题,此次与SK海力士合作不仅可以解决其在这方面的困扰,同时还可以顺势从HDD市场转向SDD市场。
中国大陆未来有26座晶圆厂落成
今年6月份,国际半导体行业协会(SEMI)曾预估,2016年和2017年,全球将兴建19座晶圆厂,中国大陆占据10座,这一消息无疑向外界诠释了中国发展半导体产业的决心。
时隔半年,12月14日,SEMI再次发布最新的半导体预测报告显示,未来四年(截止2020年),全球将有62座晶圆厂陆续投产,其中有26座落户中国大陆,占据四成的比例,而美国和中国台湾地区分别占据10座和9座。
据悉,在这些即将投产的新晶圆厂中,未来将应用在晶圆制造(32%)、存储器生产(21%)、以及LED、MEMS、光学、逻辑与模拟芯片(11%)等相关领域。
另外,SEMI数据同时表明,2016年,全球半导体设备市场产值较2015年同期相比将有8.7%的增长,达到397亿美元。其中晶圆加工设备达312亿美元,封测设备市场约29亿美元,半导体测试设备产值则在39亿美元,而中国大陆也将在2016年挤下日本,首次跻身全球半导体设备支出第三大区域。
SEMI预计,2017年全球半导体市场将进一步增长,行业总产值有望达到434亿美元,年成长率约9.3%。
士兰微拟募资8亿投资MEMS传感器扩产项目
作为MEMS元件最大的应用市场,智能手机为MEMS传感器的发积极发展奠定了基础,物联网、车联网以及机器人等领域的兴起则为MEMS传感器的发展提供了广阔的空间,加上近年来国家大力发展集成电路产业,在市场和政策双重利好的背景下,杭州士兰微电子股份有限公司(以下简称“士兰微”)开始加大对MEMS传感器领域的项目投资。
12月13日晚,士兰微发布公告称,将以非公开发行股票的方式募集不超过8亿元人民币资金用于年产能8.9亿只MEMS传感器扩产项目,项目建设期为2年,预计达产后可为士兰微带来8.7亿元的年销售收入以及9849万元的年均税后利润。
据悉,士兰微本次募投项目涵盖系统集成的设计、制造、封装测试各环节,包括MEMS传感器芯片制造扩产项目(拟投入募集资金3.7647亿元)、MEMS传感器封装项目(拟投入募集资金2.2362亿元)、以及MEMS传感器测试能力提升项目(拟投入募集资金1.9991亿元)。
通过该项目的实施,士兰微不仅可以扩大其在MEMS传感器领域的现有产业规模,优化和丰富公司的产品结构,同时还将进一步增强公司的核心竞争力,为其带来持续的盈利增长。