三星全球最大规模半导体产线投产；长电大基金中芯51.75亿共同增资芯鑫租赁

三星全球最大规模半导体产线投产

据韩媒报道，三星电子位于韩国京畿道平泽市的半导体工厂于7月4日正式投产，该工厂主要用于建设第四代64层3D NAND Flash。

根据三星之前公布的资料，64层3D NAND Flash核心容量将提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。由于目前处于量产初期，媒体预计三星平泽厂今年的产能约为7-8万片晶圆/月，一两年后将全速运转。

这个号称全球规模最大的半导体工厂于2015年5月正式动工建设，占地面积达289万平方米，总投资15.6万亿韩元。

目前，三星平面及3D NAND Flash的总产能约为45万片晶圆/月，平泽工厂占据10-20%的份额。为了应对目前全球供不应求的半导体市场，三星电子将追加14.4万亿韩元在该厂增设一条新的生产线。

业界预计，届时三星的NAND Flash总产能将超过70万片/月，仅平泽厂的月产能就将达到26-30万片。其全球市场占有率也将提升10%左右，市场份额则有望逼近50%。

长电大基金中芯51.75亿共同增资芯鑫租赁

7月2日，半导体封测厂商长电科技发布公告称，公司全资子公司长电国际（香港）将与国家大基金和中芯国际共同对芯鑫融资租赁有限责任公司（下称“芯鑫租赁”）进行增资，各方将以现金方式共同出资51.75亿。

其中长电国际拟投资3.5亿元人民币，计入注册资本的出资金额为3.36131亿元，占比3.15618%，国家大基金计入注册资本的出资金额为34.4亿元，占注册资本比例的32.3%；中芯国际计入注册资本的出资金额为7.92亿元人民币，占注册资本的7.43%。

资料显示，芯鑫租赁成立于2015年8月，注册资本56.8亿元，由国家集成电路产业投资基金联合中芯国际、福建三安集团等行业龙头企业及金融机构发起设立。主要专注于集成电路产业的融资租赁，本次增资完成后，芯鑫租赁注册资本将增加至106.4994亿元。

该公司的成立对缓解我国集成电路产业投融资瓶颈、促进国产集成电路设备发展、改善产业投融资环境发挥着重要的推动作用。

传SK海力士量产72层3D NAND Flash

据韩媒etnews7月4日报道，存储器大厂SK海力士已经量产72层3D NAND Flash产品，基于TLC阵列，容量为256Gb，主要用于移动设备，目前已经交货给客户。

这离SK海力士宣布研发出该产品尚不足3个月的时间，这样的速度不可谓不惊人，毕竟对于3D NAND Flash而言，从完成研发到实现量产，一般最快也要6个月。

至于产品良率问题，据传与48层3D NAND Flash芯片相比，72层3D NAND堆叠层数是48层的1.5倍，生产效率大幅提升30%。同时，由于加入了高速电路设计，72层芯片的内部运行速度达到了48层的2倍，读写性能也增加20%。

有媒体报道，目前，SK海力士已经在清州M14厂开始大量生产72层3D NAND Flash产品，并且计划第三季度在利川新工厂也开始大规模生产3D NAND Flash。SK海力士的目标是在今年年底将3D NAND Flash产品的生产规模提升逾50%。

业内人士认为，SK海力士成功量产72层3D NAND Flash将大幅提升其在全球存储器市场的竞争优势，甚至有望向三星靠拢。在此之前，SK海力士在全球NAND市场中仅排名第五。

小米诺基亚签署战略合作协议

7月5日，小米与诺基亚达成战略合作协议，包括将在移动网络的标准必要专利方面实现交叉授权，以及小米将收购诺基亚部分专利资产。据悉，小米与诺基亚双方已经就上述合作事项签署了一份商务合作协议及一份多年有效的专利许可协议。

Source：小米微博

根据协议，诺基亚将向小米提供互联网服务商以及数据中心所需的高性能、低功耗网络基础设施设备，并且双方将合作开发光传输技术、IP路由技术，以及数据中心网络解决方案。

另外，未来不排除双方在物联网（IoT、虚拟现实（VR）、增强现实（AR）以及人工智能（AI）等领域合作的可能性。
该协议的签署使得外界小米与诺基亚合作方向的猜想最后尘埃落定。此前有网友在微博称小米与诺基亚的合作是基于小米澎湃S1处理器芯片，不过这一消息已被诺基亚相关人士否认。