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三星电子相关资讯

半导体存储大厂技术革新!

据韩媒BusinessKorea报道,半导体存储大厂三星电子已完成400层NAND技术研发,并开始导入产线....

三星电子 NAND Flash 存储技术

存储器

三星大规模人事调整,代工、存储等部门负责人变更

11月27日,三星电子宣布了2025届总裁级别人事变动,以增强未来的竞争力,主要变动包括制度、部门管理、人员职务等层面方面...

存储器 三星电子 芯片制造

存储器

三星HBM3E通过英伟达实地检测?

市场消息指出,三星电子(Samsung Electronics)与NVIDIA顺利完成第五代高带宽存储器HBM3E的实地检测。虽然HBM3E量产时....

三星电子 HBM

存储器

三星电子宣布收购英国AI初创公司

7月18日,三星电子宣布,已签署协议收购英国初创公司Oxford Semantic。三星表示,通过此次收购,公司将获得个人知....

三星电子 AI芯片

IC设计

存储大厂NAND技术迎突破

AI人工智能正推动存储器产业强劲发展,AI应用带来了海量数据增长,存储容量与性能需求大幅提升,NAND Flash技术重要性不断....

三星电子 NAND Flash 半导体存储器

存储器

4nm→2nm,三星或升级美国德州泰勒晶圆厂制程节点

根据韩国媒体Etnews的报导,晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术,从原计划的4纳米改为2纳米....

三星电子 晶圆代工 先进制程

制造/封测

争夺英伟达订单?三星或不惜代价确保第二代3纳米良率

继HBM之后,三星电子2024年的首要任务就是在代工业务方面抢下GPU大厂英伟达(NVIDIA)的订单。尤其是,随着晶圆代工龙头...

三星电子 晶圆代工 英伟达

制造/封测

存储厂商逐鹿HBM3E市场

近日,韩国媒体报道称,三星或将向英伟达独家供应12层HBM3E。报道指出,英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层....

三星电子 半导体存储器 HBM

存储器

三星一工厂突发大火

3月22日消息,三星SDI在韩国京畿道龙仁市的基兴工厂于3月21日下午发生火灾,消防人员迅速扑灭了大火。火灾原因...

半导体 三星电子

制造/封测

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