注册

三星电子相关资讯

三星德州泰勒厂本周装机典礼,以2纳米生产特斯拉芯片

根据韩国媒体报道,三星位于美国德州泰勒市(Taylor)的晶圆代工厂即将启用,并采用先进的2纳米制程为特斯拉(Tesla)量产人工智能芯片...

三星电子 晶圆代工

制造/封测

三星电子停止接单LPDDR4及LPDDR4X产品

三星将全面启动制造产线向LPDDR5/LPDDR5X、高带宽内存(HBM)等...

三星电子

存储器

受人工智能热潮推动,三星或将HBM4逻辑芯片价格上调40-50%

在HBM4出货量快速增长的背景下,对逻辑芯片的需求也随之激增,这赋予了三星更强的定价权,并推动了报道中提及的价格上涨...

三星电子 HBM4

制造/封测

外媒:三星支持的垂直芯片研发项目旨在将HBM的I/O性能提升10倍

据ET News报道,三星电子未来技术研究计划下的“垂直芯片”先进封装项目已取得显著进展...

三星电子 HBM

存储器

转为长期协议,三星和SK海力士将重置大型科技公司存储器合同

外媒报道,三星和 SK 海力士正在逐步放弃与全球大型科技公司签订的一年期短期合同,转而采用为期三至五年的纯长期供应协议模式...

SK海力士 三星电子

存储器

受益于AI和存储浪潮,三星第一季度在中国获得超过2000项专利批准

据The Guru报道,三星第一季度获批专利总数达到2083项,较去年同期的1933项增长约7.8%...

三星电子

存储器

三星SSD控制器导入RISC-V,逐步降低对Arm的依赖

据Wccftech报道,三星新一代SSD产品线BM9K1将采用自研控制器芯片,并首次以RISC-V架构为核心,借此降低对Arm IP的依赖...

三星电子 SSD

存储器

不追1.4纳米!三星Exynos 2800改用2纳米SF2P+制程

根据韩媒ZDNet报道,三星电子次世代系统单芯片(SoC)Exynos 2800(代号Vanguard)将不采用原先规划的1.4纳米制程,转而采用升级版2纳米GAA...

三星电子 IC设计

IC设计

三星布局氮化镓,首条8英寸生产线最快Q2投产

三星半导体在2023年曾宣布其功率半导体晶圆厂将于2025年投产,但实际进度有所滞后。据最新行业消息,三星的首条8英寸GaN生产线预计最快将于2026年...

三星电子 氮化镓

功率器件

123456......75>