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【专题报导】【一周热点】美光部分产品在中国禁售;第三季DRAM产值有望再创新高

来源:全球半导体观察    原作者:刘静    

美光部分产品在中国禁售

针对今年1月份联电起诉美光产品有侵权疑虑,要求禁止美光产品在中国制造、加工、进口与销售一案,近日,福州中级人民法院做出一审判决,由联电取得胜诉,禁止美光中国子公司在中国生产和销售部分产品。不过,美光依然有再上诉的权利。

福州市中级人民法院裁定,美光半导体销售(上海)有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片,并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时裁定美光半导体(西安)有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品。

作为全球第二大经济体,中国一直是美光存储器产品的重要市场,据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)统计,2018年美光约有26%的DRAM产能和20%的NAND Flash产能由中国内需市场所消化。

而此次在面临中国市场禁止销售部分产品的情况下,将会使得美光竞争对手三星、SK海力士、东芝、以及合肥长鑫、晋华集成和长江存储等成为在中国存储器市场最直接的受益者。不过值得注意的是,该事件并未对美光营收造成严重影响,美光于7月5日表示,该禁令仅使其第四季度的收入减少约1%。

第三季DRAM产值有望再创新高

根据DRAMeXchange调查显示,在1X或1Y纳米的比重持续增加的情况下,尽管第三季供货位元成长有望达到4.8%,但在传统旺季需求来临之际,DRAM价格依然会呈现小幅上扬的态势,甚至第三季DRAM的总产值有望再创新高。

DRAMeXchange认为,数据中心和高端手机将成为第三季度DRAM价格涨幅的主要动力,从产品类别而言,以行动式内存和服务器内存为主。

其中与第二季相比,第三季服务器内存的需求将会处于稳健提升的趋势,因此出货至一线厂商的主流服务器模组价格依然会有1-2%的上涨空间。但价格上涨幅度有限,且一线厂与二线厂的报价区间不会有太大区别。

此外,就行动式内存而言,价格涨幅主要是因为安卓高端手机高容量LPDDR4的采用量提升。尤其是近期推出的高端手机DRAM容量更是增加至了6GB甚至8GB,从而使得LPDDR4的供应吃紧。DRAMeXchange预期,在高端机型的带动下,第三季行动式内存价格涨幅将达1-2%。

展望下半年,虽然DRAM需求在旺季支撑下可望维持稳健,DRAMeXchange认为,已可观察到DRAM价格上涨幅度越来越小,在今年第四季更可能面临持平开出的状况。

联电通过两项重大议案

近日,联电董事会分别通过了两项重大议案。一是收购日本12英寸晶圆厂,二是宣布将整合旗下子公司和舰科技、IC设计服务公司联暻以及厦门的合资公司联芯集成,计划由和舰科技申请发行A股,在上海证券交易所上市。

收购方面,联电将以不超过576.3亿日元(约34.5亿人民币)的金额收购与富士通半导体合资的12英寸晶圆厂-三重富士通半导体股份有限公司(MIFS)84.1%股权,加上此前拥有的15.9%股份,收购完成后,MIFS将成为联电独立子公司。

此外,双方还将透过联电40纳米技术的授权、并于MIFS建置40纳米逻辑生产线,进一步扩大合作伙伴关系。

至于和舰科技上市方面,根据规划,此次和舰科技预计增资发行4亿股新股,占和舰公司发行后总股本不低于10%,而联电仍将持有和舰公司约87%的股权。

联电表示,预计本次筹资金额约25亿元人民币,其中一部分资金用于扩充和舰科技旗下一座8英寸晶圆代工厂1万片的月产能,预计明年第二季度完成;同时,也将用于改善联芯集成的财务结构。

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