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【专题报导】【一周热点】10月DRAM/NAND Flash颗粒合约价跌幅明显;华润微电子12英寸晶圆厂落户重庆

来源:全球半导体观察    原作者:刘静    

华润微电子12英寸晶圆厂落户重庆

近日,国内再增一座12英寸晶圆生产线。11月5日,华润微电子与重庆西永微电园签署合作协议。

根据协议,华润微电子将在重庆西永微电园建设国内首座本土企业的12英寸功率半导体晶圆生产线。该12英寸生产线项目总投资约100亿元,主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。

据了解,这是继SK海力士二期、联合微电子中心、华润基板级扇出封装项目后,西永微电园今年引进的第四个百亿级集成电路项目。

而事实上,此次也并非华润微电子与西永微电园的首次合作。此前,在西永微电园拥有一座8英寸功率及模拟芯片晶圆厂的中航(重庆)微电子有限公司被收编至华润微电子旗下,并成立了华润微电子(重庆)有限公司。

而在此次整合之后,华润微电子8英寸晶圆制造产能超过10万片,其功率器件业务将占国内功率器件市场份额达6.5%。今年年初,华润微电子正式入驻重庆西永微电园。

DRAM/NAND Flash颗粒合约价下跌

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,10月份的存储器市场合约价均有明显跌幅。

DRAM方面,随着第四季度DRAM合约价议定,10月份的合约价格开始大幅下降,尤以大容量模组8GB跌幅为甚,其均价已滑落至61美元,较上季度的68美元而言,跌幅高达10.29%,而主流模组4GB的均价也从此前的34.5美元降至31美元,跌幅达到10.14%。

NAND Flash方面,除了SSD、eMMC/UFS价格持续下跌外,其他NAND Flash颗粒及Wafer产品的合约价跌幅也非常显著。其中SLC NAND合约价在10月份完成第四季议价后,呈现出10-15%的跌幅。而TLC NAND Flash Wafer合约价跌幅更是高达13%-17%,创下2017年11月Wafer价格走跌以来,单月跌幅最大记录。

展望后市,DRAMeXchange预估,2019年全年DRAM平均销售单价的跌幅可能达到20%,而各大供应商的获利能力则将在今年第三季度达到巅峰后将以缓着陆(soft-landing)的态势逐季下修。

至于NAND Flash市场,DRAMeXchange则认为,尽管年底欧美销售旺季将至,但由于此波跌价未能有效刺激模组厂的备货动能,因此预期11、12月的价格跌势难止。

华天科技建高端汽车电子封装线

11月7日,江苏昆山经济技术开发区与华天科技(昆山)电子有限公司就高可靠性车用晶圆级先进封装生产线项目签署了合作协议。

根据协议,该封装生产线项目总投资约20亿元人民币,主要针对车载图像传感器晶圆级封装测试,总建筑面积约3.6万平方米。

项目达产后,其年新增传感器高可靠性晶圆级集成电路先进封装可达36万片,年新增产值约10亿元人民币,将形成规模化的高可靠性车用晶圆级封装测试及研发基地。

据了解,该项目是华天科技在昆山打造晶圆级高端封装测试基地的重点项目。此前,华天科技(昆山)电子有限公司承担的“国产中道工艺高端封测装备与材料量产应用工程”项目和“12英寸国产装备新工艺开发与应用”项目获得了国家立项。

SK海力士96层4D NAND年内量产

11月4日,存储器大厂SK海力士宣布,已经率先研发出96层512Gbit的4D NAND闪存半导体,并计划年内在韩国忠北青州市的M15厂初步量产新开发的96层4D NAND闪存产品。

作为全球首款的96层512Gbit的4D NAND闪存产品,采用的是SK海力士首次将3D CTF(Charge Trap Flash)与PUC(Peri Under Cell)技术结合起来而开发出的新技术,而通过这种技术开发出的产品可以获得更好的性能和产能。

与SK海力士72层512Gb 3D NAND闪存相比,此次SK海力士新研发出的4D NAND闪存体积缩小了30%以上,可以搭载到智能手机移动零部件之中,每张面板可以生产的记忆容量提升1.5倍,可同时处理的数据量更是提升了1倍,而读写能力则分别提升了30%和25%。

根据规划,SK海力士计划年内推出搭载4D NAND闪存的1TB容量SSD固态硬盘。此外,SK海力士还计划利用相同的技术研发新一代128层4D NAND闪存。至于SK海力士能否凭借新产品的优势在竞争力相对较弱的NAND市场提高市占率,还需拭目以待。

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