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【一周热点】【一周热点】大基金二期近日两次出手;晶圆代工业者营收最新排名出炉

来源:全球半导体观察       

大基金二期近日两次出手

大基金二期动作频频,近日两次出手投资。

12月4日,中芯国际发布公告,旗下全资子公司中芯控股、大基金二期和亦庄国投订立合资合同以共同成立合资企业。合资企业的总投资额为76亿美元,注册资本为50亿美元,中芯控股、大基金二期和亦庄国投各自同意出资25.5亿美元、12.245亿美元和12.255亿美元,分别占合资企业注册资本51%、24.49%和24.51%。

合资企业暂定名为中芯京城集成电路制造(北京)有限公司,业务范围包括生产12英寸集成电路晶圆及集成电路封装系列;技术测试;集成电路相关技术开发、技术服务及设计服务;销售自产产品等。据此前公告披露,该项目将分两期建设,项目首期计划最终达成每月约100000片的12英寸晶圆产能,二期项目将根据客户及市场需求适时启动。

12月7日,纳思达公告披露,公司全资子公司艾派克微电子拟以增资扩股及纳思达转让艾派克微电子股权的方式引入战略投资者。公告指出,此次引入的战略投资者以大基金二期为领投方,导入资金合计32亿元,其中大基金二期增资价款为15亿元。

晶圆代工业者营收最新排名

TrendForce集邦咨询旗下拓墣产业研究院表示,第四季晶圆代工市场需求依旧强劲,各业者产能呈现持续满载,产能吃紧使得涨价效应带动整体营收向上,预估2020年第四季全球前十大晶圆代工业者营收将超过217亿美元,年成长18%,其中市占前三大分别为台积电、三星、联电。

排名前五大厂商中,台积电第四季成长动能续强,营收可望再创历史新高,年成长约21%;三星预估第四季营收年成长约25%;联电预估第四季28nm(含)以下营收年成长可达60%,整体营收年成长为13%;格芯预估第四季营收年减4%;中芯国际预估第四季营收季减约11%,然因2019年基期低,该季营收年成长仍有15%。

拓墣产业研究院指出,第四季整体晶圆代工业者营收表现将稳定提升,部分产品需求爆发,客户倾向透过提前备货提高库存准备,使晶圆代工产能呈现供不应求状况。不过业者仍需密切观注目前全球疫情再次升温,是否将对终端消费力道产生负面影响,以及后续中美关系的发展态势。

台湾地区地震牵动产业神经

根据中国地震网的消息,12月10日21时19分在中国台湾地区宜兰县海域(北纬24.74度,东经121.99度)发生5.8级地震,震源深度80千米。此次地震,震中位于宜兰县海域,距台湾岛15公里,距台北市57公里。四个小时后的02时15分,又发生了一次4.4级的余震,震源深度49千米。

从谷歌地图上显示,此次地震波及了大半个台湾地区,包括台北、台中、新竹、桃园都有遭受不同程度的影响,新竹县与桃园市均测得四级震度。地震发生后,台湾地区半导体工厂状况备受各方关注,多家半导体企业亦已作出回应。

如台积电表示,台积电按照内部程序,北部厂区有部分人员因所在厂区达四级震度已进行疏散以确保安全,目前工安系统正常;联电初步确认,各个厂区皆没有停电问题,因此尚不需要启动各种备援机制,人员一切平安,厂区也正常运作中。

SK海力士176层NAND闪存进展

近日,韩国存储厂商SK海力士宣布已完成176层NAND闪存的开发。目前,SK海力士已开始向客户提供样品,并计划于2021年中期开始批量生产。

SK海力士官网显示,最新开发的NAND闪存为4D NAND第三代,比上一代128层产品提高了35%以上生产率,成本竞争力有所提升。此外,明年中开发的176层NANDMobile Solution产品可使数据的最大读取速度提高约70%,使数据写入速度提高约35%。

SK海力士是全球范围内主要的存储厂商,在NAND Flash市场排第四位。今年三季度,SK海力士在该领域的市占率为11.3%。其他厂商方面,美光今年11月已宣布成功开发出了176层产品,三星电子的第七代V-NAND正处于开发阶段,预计将于明年量产。

华为哈勃拟投资鑫耀半导体

12月10日,云南锗业公告披露,公司董事会同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司(以下简称“鑫耀半导体”)接受哈勃科技投资有限公司(以下简称“哈勃科技”)以货币方式向其增资人民币3000万元,出资额折合注册资本3000万元,云南锗业放弃对此次新增注册资本的优先认缴出资权。本次增资完成后,哈勃科技将持有鑫耀半导体23.91%股权。

资料显示,鑫耀半导体成立于2013年9月,据云南锗业官网介绍,鑫耀半导体立志于成为质量稳定产品可靠的III-V族半导体衬底生产企业,目前负责在云南国家锗材料基地建成一条年产砷化镓抛光晶片 30万片4英寸(或12万片6英寸)的单晶材料生产线以及一条年产5万片磷化铟衬底生产线。

公告指出,鑫耀半导体是专业从事半导体材料砷化镓及磷化铟衬底(单晶片)生产的企业,哈勃科技关联方中有专业的半导体芯片厂商,公司本次接受哈勃科技的增资主要目的是为了加强与下游厂商的沟通与协作,有利于鑫耀半导体产品质量的提升和推动其市场开拓工作,鑫耀半导体将向哈勃科技关联方提供砷化镓及磷化铟衬底,并保障供应,对方则通过对相关产品的实际应用为鑫耀半导体提供技术及产品验证上的反馈。

封面图片来源:拍信网