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【一周热点】238层4D NAND出货;中微刻蚀机运往台积电海外工厂

来源:全球半导体观察整理    原作者:Viki    

“芯”闻摘要

全球首款238层4D NAND闪存出货
一批A股厂商成立集成电路新公司
河南南阳集成电路新政出台
中微刻蚀机运往台积电海外工厂
50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功

全球首款238层4D NAND闪存问世

2022年8月3日,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士表示,已经向客户发送了238层 512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。

238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时,实现了业界最小的面积,相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。此外,238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps,相比前一代产品提高了50%,芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。

SK海力士计划先为cSSD供应238层NAND闪存,随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器SSD等。SK海力士还将于明年发布1Tb密度的全新238层NAND闪存产品,其密度是现有产品的两倍。

一批A股厂商成立“芯”公司

近期,闻泰科技、华天科技、天岳先进等一批国内多家A股企业通过成立集成电路公司为中国半导体产业的发展助力。

7月29日,闻耀电子正式成立,注册资本2000万元人民币,由闻泰科技通过昆明闻泰通讯有限公司间接全资控股。企查查显示,闻耀电子经营范围包含通信设备制造;移动终端设备制造;电子元器件制造;集成电路制造;集成电路芯片及产品制造;5G通信技术服务等业务。

7月22日,越联峰科技成立,注册资本5000万元,由天岳先进100%控股。天岳先进认为,碳化硅材料在半导体行业包括5G、雷达、国防军工以及新能源汽车、光伏、轨道交通、储能等电力电子领域未来的应用场景会非常广阔。越联峰科技的成立也将进一步推动其在碳化硅市场的布局。

河南南阳集成电路新政出台

近日,河南省南阳市人民政府办公室发布《关于加快集成电路产业发展的意见》。

《意见》指出,到2025年,全市集成电路产业主营业务收入突破100亿元,集成电路产业链企业达到20家以上。到2035年,集成电路产业链企业达到100家以上,主营业务收入达到500亿元,成为全省具有重要影响力的集成电路产业基地。同时,在关键设备、半导体材料、芯片设计制造、封装测试等集成电路产业全产业链形成规模集聚。

《意见》围绕加快产业项目引进集聚、建立完善产业服务体系、强化产业链融合协同发展、深化产业技术开放性合作四个方面部署了一系列重点任务。

中微刻蚀机运往台积电海外工厂

据上观新闻近日报道,今年下半年,由中微半导体制造的刻蚀机将运往台积电海外工厂。这意味着,中微刻蚀机能在头发直径万分之一的面积上建五六十层的“房子”。这种微观加工能力与全球顶尖水平已相差无几。

有媒体报道称,本次中微半导体刻蚀机将用于台积电美国工厂5纳米工艺芯片生产。

在本轮上海疫情期间,中微半导体坚持闭环生产,公司经营不断取得新突破。财报显示,今年上半年,中微半导体新签订单同比增长61.8%,营业收入和扣非净利润同比分别增长47%和600%。

50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功

近日,浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出了厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶,这在国内尚属首次报道。

目前,国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到6英寸,但其厚度通常在~20-30mm之间,导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。

科研人员表示,增加碳化硅单晶厚度的主要挑战在于其生长时厚度的增加及源粉的消耗对生长室内部热场的改变。针对挑战,浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺,显著提升了碳化硅单晶的生长速率,成功生长出了厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶。

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封面图片来源:拍信网