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先进封装产能告急;HBM产值比重预估;美光公布最新业绩

来源:全球半导体观察    原作者:Viki    

“芯”闻摘要

HBM产值比重预估
NAND Flash合约价预测
先进封装产能告急
美光公布最新业绩
12英寸晶圆厂投资火热
SK海力士HBM3E量产
六家半导体企业IPO新进展

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HBM产值比重预估

由于HBM售价高昂、获利高,进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,供给位元年成长约260%。此外,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。

TrendForce集邦咨询观察,以HBM产能来看,三星、SK海力士(SK hynix)至今年底的HBM产能规划最积极,三星HBM总产能至年底将达约130K(含TSV);SK海力士约120K,但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品HBM3产品市占率来看,目前SK海力士于HBM3市场比重逾9成,而三星将随着后续数个季度AMD MI300逐季放量持续紧追...详情请点击《研报 | 2024全年HBM供给位元年增预估高达260%,产能将占DRAM产业14%》

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NAND Flash合约价预测

据TrendForce集邦咨询研究显示,在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下,部分供应商为了减少亏损、降低成本,并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成,其余业者均未明显增加投产规模。

TrendForce集邦咨询进一步表示,为应对下半年旺季需求,加上铠侠/西部数据本身库存已处低水位,本次扩大投产主要集中112层及部分2D产品,有望在今年实现获利,并进一步带动2024年NAND Flash产业供应位元年增率达10.9%...详情请点击《研报 | NAND Flash合约价涨幅最新预测:自Q2起将收敛至10~15%》

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先进封装产能告急

3月18日,据中国台湾经济日报报道,台积电将在台湾地区嘉义科学园区先进封装厂新厂加大投资,园区将拨出六座新厂用地给台积电,比原本预期的四座多两座,总投资额逾5000亿新台币(约合人民币1137亿元),主要扩充晶圆基片芯片(CoWoS)先进封装产能。另据其他媒体消息显示,台积电正考虑在日本建设先进的芯片封装产能,选择之一是将其CoWoS封装技术引入日本。

3月18日晚间,台积电官方虽未证实六座新厂及日本扩建封装厂的消息,但其表示,因应市场对半导体先进封装产能强劲需求,台积电计划先进封装厂将进驻嘉义科学园区...详情请点击《先进封装产能告急!》

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美光公布最新业绩

当地时间3月20日,存储大厂美光科技公布截止2024年2月29日的2024财年第二季度业绩。受惠于人工智能AI对HBM的强烈需求,美光科技该财季意外实现转亏为盈,且本季财测优于预期。

数据显示,美光科技2024财年第二季度收入为58.2亿美元,上一季度为47.3亿美元,去年同期为36.9亿美元,同比增长约57.7%,增速远超第一财季的15.6%,高于51亿到55亿美元的公司自身指引区间。另外,2024年第二季度资本支出投资净额为12.5亿美元...详情请点击《存储大厂业绩高于预期》

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12英寸晶圆厂投资火热

尽管近期市场传出英特尔等半导体大厂推迟美国晶圆厂投运的消息,但是随着市场需求逐渐回温,以及AI等高性能应用驱动,全球晶圆厂尤其是12英寸晶圆厂的投资热潮仍在继续。

近期,国际半导体产业协会(SEMI)对外表示,由于存储器市场的复苏以及高性能计算、汽车应用的强劲需求,全球应用于前道工艺的300mm(12英寸)晶圆厂设备投资,预计将在2025年首次突破1000亿美元,达1165亿美元,增长20%,2027年将达到1370亿美元,增长5%。

近年,包括台积电、三星电子、英飞凌、英特尔、铠侠、美光等厂商都在增加12英寸晶圆厂产线。今年以来,多家12英寸晶圆厂迎来新进展...详情请点击《12英寸晶圆厂投资热潮持续》

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SK海力士HBM3E量产

2024年3月19日,SK海力士今日宣布,公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*,将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后,仅隔7个月取得的成果。

HBM3E不仅满足了用于AI的存储器必备的速度规格,也在散热等所有方面都达到了全球最高水平。此产品在速度方面,最高每秒可以处理1.18TB(太字节)的数据,其相当于在1秒内可处理230部全高清(Full-HD,FHD)级电影...详情请点击《全球首次投入量产,SK海力士超高性能AI存储器HBM3E开始向客户供货》

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六家半导体企业IPO最新进展

近日,半导体IPO板块动作频频。志橙股份、英诺赛科、汇成真空、联明电源、莱普科技、捷希科技等多家半导体企业IPO申请迎来新进展,涉及领域涵盖射频、芯片设计、半导体设备、半导体材料等。

3月17日,志橙半导体更新了一版招股书(申报稿),并对首轮问询、第二轮问询、第三轮问询的回复内容进行了更新。志橙股份计划募资8亿元,其中3.15亿元将用于SiC材料研发制造总部项目,2.87亿元用于SiC材料研发项目,1.98亿元用于发展和科技储备资金。

2月28日,证监会披露了关于同意汇成真空首次公开发行股票注册的批复,同意汇成真空创业板IPO注册申请。本次拟募集资金约2.35亿元,分别用于研发生产基地项目、真空镀膜研发中心项目、补充流动资金项目...详情请点击《六家半导体企业IPO最新进展!》

封面图片来源:拍信网