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集邦咨询:2017年底中国品牌智能手机平均售价将涨至人民币2000元,"高规低卖"趋势不再

全球智能手机市场成长趋缓,竞争激烈,又逢零部件价格涨势凌厉,中国品牌在获利压力剧增之下纷纷调涨售价...

智能手机 内存

市场观察

TrendForce:DRAM、NAND Flash、AMOLED面板价格居高不下,影响手机品牌获利能力

智能手机关键零部件于2016下半年开始供应吃紧导致涨价,至2017年第一季传统淡季的行情也逆势上扬。全球市场研究机构集邦咨询最新研究显示,2017年在DRAM、NAND Flash、AMOLED面板价格攀高、智能手机纷纷导入创新规格之下...

NAND Flash 内存

市场观察

TrendForce:智能手机出货畅旺,2016年第四季全球行动式内存产值季增20%

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查显示,在三星Note 7爆炸影响下,消费者购机需求纷纷转向其他手机品牌,苹果、华为与LG等品牌出货明显提升...

智能手机 内存

市场观察

集邦咨询:标准型内存合约价飙涨,2016年第四季全球DRAM总营收大幅季增18.2%

集邦咨询半导体研究(DRAMeXchange)最新研究显示,在旺季需求带动,以及内存价格全面飙涨的态势下,2016年第四季全球DRAM总体营收大幅季成长约18.2%...

DRAM 内存

市场观察

TrendForce:2017年第一季DDR3 4GB合约价飙升至25美元,创DRAM淡季涨幅最高纪录

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示,由于DRAM供货吃紧至今未有改善的迹象,因此延续2016下半年的价格涨势,2017年第一季DRAM平均销售单价呈大幅上涨格局...

DRAM 内存 DDR

市场观察

TrendForce:2017年DRAM供给位元成长小于20%,价格将持续攀高

2016年DRAM产业市况转折相当大,历经上半年需求不振,持续跌价的态势,至第三季后,才在中国智能手机出货畅旺、笔电出货回温下...

DRAM 智能手机 内存

市场观察

【一周热点回顾】4GB DRAM模组价格明年Q1上看20美元;2016全球IC设计厂营收排名出炉

DRAMeXchange研究协理吴雅婷认为,20纳米8GB颗粒将成为2017年第一季度供货主流,而PC(个人计算机)单机搭载容量的提升将成为2017年需求位元成长的主要动力。

智能手机 内存

一周热点

TrendForce:NAND Flash供不应求,第三季品牌商营收大幅季成长19.6%

TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示,受惠于智能手机需求强劲,及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少...

NAND Flash 内存

市场观察

【一周热点回顾】Q3 行动式内存产值季增16.8%;三星拟分拆晶圆代工和IC设计业务

由于苹果iPhone 7和三星Note 7(虽然已经停产,但此前已有备货)相继发布,让全球行动式内存出货大增,加上自今年6月份以来DRAM产品价格持续上涨,推动2016年第三季度行动式内存营收大幅增长。

IC设计 内存

一周热点