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【存储器】图说:USB Type-C

USB Type-C不是一个新的标准,而是一种新型USB线缆及连接器的规范,是一整套全新的USB物理规格。Type-C的诞生并不久远,连接器的渲染图早在2013年底就出来了,2014年公布的USB 3.1设计图即包括Type-A、Type-B以及全新设计的Type-C。

【存储器】3D XPoint是什么?

7月29日美光与英特尔共同发表全新(NON-V)非挥发性内存芯片3D XPoint消息在近日占据了各大IT头条。其原因在于,3D XPoint是25年来引入市场的首个全新主流存储芯片技术,可同时取代DRAM与NAND在运算端的需求,不仅有高于DRAM 10倍的密度,更有比NAND Flash快千倍的速度。那3D XPoint究竟是什么?

【存储器】揭密SK海力士高频宽存储器封装

SK海力士的高频宽存储器(HBM)很新,而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制,甚至达到某种程度的DDR5型存储器频宽。该技术堆栈了四个DRAM芯片以及一个逻辑芯片,一片一片地堆栈起来,并利用硅穿孔(TSV)与微凸块接合实现芯片至芯片间连接。

【存储器】揭秘英特尔3D NAND Flash芯片

Intel & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop,Intel的技术人员在会上具体揭示了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。

【存储器】鳍式场效晶体管(FinFET)简介

鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管,FinFET命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非常相似。

【存储器】三星第二代3D V-NAND芯片

时隔首款3D V-NAND公布后一年多,三星又在ISSCC 2015研讨会中,发表了第二世代3D V-NAND,32层堆栈、TLC结构的128Gb配置,三星850 EVO SSD也是使用了此款NAND Flash。从最直观的的比较下,可以看到第一代与第二代的差别在于面积与容量密度的差别…

【存储器】全闪存储存阵列

全闪存储存阵列(All Flash Storage Arrays)已成各储存业者的兵家必争之地。所谓全闪存意指使用固态硬盘(SSD)或快闪存储器(Flash Memory)等储存媒介取代传统硬盘(HDD)。

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