SK海力士的高频宽存储器(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型存储器频宽。该技术堆栈了四个DRAM芯片以及一个逻辑芯片，一片一片地堆栈起来，并利用硅穿孔(TSV)与微凸块接合实现芯片至芯片间连接。
Intel & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，Intel的技术人员在会上具体揭示了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。
鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，FinFET命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非常相似。
时隔首款3D V-NAND公布后一年多，三星又在ISSCC 2015研讨会中，发表了第二世代3D V-NAND，32层堆栈、TLC结构的128Gb配置，三星850 EVO SSD也是使用了此款NAND Flash。从最直观的的比较下，可以看到第一代与第二代的差别在于面积与容量密度的差别…
全闪存储存阵列(All Flash Storage Arrays)已成各储存业者的兵家必争之地。所谓全闪存意指使用固态硬盘(SSD)或快闪存储器(Flash Memory)等储存媒介取代传统硬盘(HDD)。
…而通用闪存USF（Universal Flash Storage），被视为替代eMMC的一种NAND Flash新接口标准，主要用在智能手机及平板电脑等智能移动装置上，未来或将成为嵌入式存储媒体的主要应用标准之一。
FRAM（Ferromagnetic Random Access Memory），铁电随机存取存储器。FRAM由麻省理工学院首次提出，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的特性。FRAM存储器的优点是可在失去电力的情况下，资料毫不受损，且写入速度极快，重复写入的次数高，几乎是无限次数，可大量取代EEPROM应用；其缺点为FRAM存储器的价格仍是大幅高于EEPROM约2~3倍之多。
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