顾名思义，TLC SSD是搭载TLC型NAND Flash芯片的SSD，因TLC闪存的寿命、耐久度、稳定性等天生缺陷，过去只能用于随身碟，快闪记忆卡等。第一款TLC SSD产品是由三星在2012年10月推出，饱受争议，而随着主控和固件技术的不断演进，各厂商都在尝试着生产TLC SSD。相信不久的将来，TLC SSD将崛起于中低阶市场。
JEDEC固态技术协会于2014年8月26日发布了新一代低功耗内存标准LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)，规范编号“JESD209-4”。
英特尔将于2014年下半年推出支持DDR4的Haswell-E X99芯片组，这将会是更新、更快的内存颗粒标准，不但会提升50%的内存带宽（Memory Bandwidth），也会降低30%的功耗，届时新的主板都将会采用此芯片组。
东芝旗下的半导体&存储产品公司宣布，启动符合JEDEC UFS 2.0版本标准的32GB和64GB嵌入式NAND闪存模块的样品出货，东芝此举为业内首例。这两种模块还集成了UFS 2.0版本的可选功能——5.8Gbps高速MIPI® M-PHY® HS-G3 I/F，并实现了超高性能，包括650MB/s的读取速度和180MB/s的写入速度。
混合立方体记忆体(Hybrid Memory Cube；HMC)是属于同构型记忆体3D IC堆栈技术，由美系记忆体大厂美光(Micron)主导研发，后来三星电子(Samsung Electronics)、IBM等大厂也先后加入。目前美光已推出HMC产品，由于成本较高，因此初期是导入绘图卡应用、超级计算机、服务器、网络设备等高单价的市场应用为主。
随着采用传统平面半导体技术的NAND Flash即将达到极限，存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术，重点从微型化转移至增加密度，以提高产能。下面介绍下各个厂商的3D NAND Flash进展情况：三星早在2013年8月，就发布首款3D NAND Flash芯片，名为V-NAND，采用垂直单元结构，可在单个芯片上实现128 Gb的容量。
DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和差分信号的两种规格产品。
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