磁性随机存储器，简称STT-MRAM，也叫自旋转移矩磁阻存储记忆体，是一种非易失性储存，其架构与传统MRAM相同，但耗电量更少，具备速度极快和耗电量低的优点，具备更好的存储密度拓展空间和信息保存能力，未来可望成为补充或者替代DRAM的产品之一。
随着USB3.0时代来临，控制芯片厂商积极抢进。日前USB 3.0控制芯片供货商挺多，包括华硕转投资的祥硕科技、原本生产利基型内存(SDRAM)的钰创、威盛电子转投资的威锋、联发科董事长蔡明介领军的智微、智原转投资的银灿，加上原有的USB 2.0控制芯片业者安国、群联、慧荣、擎泰、创惟等，都开始积极抢食。
记忆体厂纷纷转向朝内嵌式应用发展，其中最看好的是Ultrabook带动的固态硬盘(SSD)，其次是智能型手机和平板计算机用的eMMC、mSATA等内嵌式应用
Resistance Random Access Memory的缩写,称为可变电阻式存储器.日前Panasonic已研发出一款资料写入速度比NAND flash 快20倍的ReRAM
mSATA是标准SATA的迷你版本,通过mini PCI-E界面传输信号；mSATA是SSD不同接口定义里的一种，目前mSATA SSD主要应用在平板电脑，笔记本电脑
eMMC是MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要应用于智能手机和移动嵌入式产品等.eMMC的这种将NAND Flash芯片和控制芯片包在1颗MCP上的设计概念
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