随着采用传统平面半导体技术的NAND Flash即将达到极限，存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术，重点从微型化转移至增加密度，以提高产能。下面介绍下各个厂商的3D NAND Flash进展情况：三星早在2013年8月，就发布首款3D NAND Flash芯片，名为V-NAND，采用垂直单元结构，可在单个芯片上实现128 Gb的容量。
DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和差分信号的两种规格产品。
服务器内存也是内存（RAM），它与普通PC（个人电脑）机内存在外观和结构上没有什么明显实质性的区别，主要是在内存上引入了一些新的特有的技术，如ECC、ChipKill、热插拔技术等，具有极高的稳定性和纠错性能。
USB3.0 —— 也被认为是SuperSpeedUSB——为那些与PC或音频/高频设备相连接的各种设备提供了一个标准接口。只是个硬件设备，计算机内只有安装USB3.0相关的硬件设备后才可以使用USB3.0相关的功能！从键盘到高吞吐量磁盘驱动器，各种器件都能够采用这种低成本接口进行平稳运行的即插即用连接，用户基本不用花太多心思在上面。
CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相淀积 ），是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
NGFF(Next Generation Form Factor)或称M.2，是英特尔主导，结合多家电子业者为固态硬盘量身订作的新标准规范，可支持SATA和PCIe接口，用来取代轻薄型行动装置惯用的mSATA接口。
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
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