存储器原理、存储器知识库-第7页-全球半导体观察

NAND Flash分为SLC、MLC、TLC三种，SLC多应用在高阶产品，MLC成为产业主流，而TLC低成本低质量则主要应用于要求不高的快闪记忆卡和随身碟

2011-10-09

前缀为“HY”表示按照旧的编号规则定义，“H”表示按照新的编号规则定义……

2011-09-13

Memory (K):samsung NAND Flash : 9

2011-08-12

DRAM按照产品规格可分为标准型DRAM、利基型DRAM及Mobile DRAM三种。Mobile DRAM主要强调省电功能和低功率，多应用于可携式产品，如平板计算机、智能手机

2011-07-11

即Multi-Chip-Package多制层封装芯片,其主要应用领域为手机等手持智能终端设备，优点在于体积小、成本低。MCP技术发展的关键在于封装厚度的控制及测试的问题。

2011-06-13

相变内存是一种非易失性的内存。PCRAM融合了DRAM内存的高速存取及flash闪存在关闭电源后保留数据的特性，被视为未来内存闪存的替代品。

2011-05-09

2009-07-20