512Mb NAND Flash价格上涨4%

*By Judy Chen, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

需求疲弱导致DRAM价格下跌

虽然这星期的DRAM现货市场供给有限但是需求依然疲弱不振, 使得多数的买主不敢进场, 而是在场边等待价格落底. DDRII的价格下跌6-8%成为这星期价格下跌幅度最大的产品. DDR 256Mb 32Mbx8 400/333MHz 两者的价格均下跌 2%到USD2.52与USD2.43. DDRII 512Mb 64Mbx8 533/400MHz 的价格则分别是下跌4% 与 5%到USD7.66与USD7.12.

eTT的价格走势与DDR的相同, 这星期因为亚洲区的卖方出清产品导致最低价跌到USD2.08. 然而, 其于地区的买方则认为价格已落底而进厂购买.

8Mbx16 SDRAM现货价上涨1%

SDRAM这星期的现货市场依然很安静, 唯一的好消息是某韩国厂商决定减少SDRAM. 这星期的市场焦点放在如8Mbx16与 4Mbx16的低容量颗粒. 128Mb 8Mbx16 133MHz 的现货价格则从USD2.1上涨1%到USD2.11, 反之 , 64Mb 4Mbx16的颗粒则下跌1%.

512Mb NAND Flash 价格上涨4%

总而言之这星期的NAND flash价格因供给依旧很紧使得现货价格继续上涨. 然而, 为了诱导主流容量升级的趋势依旧我们依然看到高容量颗粒的价格下跌. 需求方面, 强烈的需求则是依然来自中国. 在低容量的颗粒512Mb以及256Mb上现货的价格上涨2-4%, 而512Mb价格上涨的原因来自某韩国厂商决定停止以120nm的制程使得这星期的现货价上涨到USD4.84. 其它的颗粒只有1Gb与 8Gb呈现下跌的现货走势, 价格分别跌到USD8.56与USD59.42.