DRAM现货价格跌破上半年低点，合约价格向下修压力仍大；内建大容量储存装置的手机与MP3播放器相继问世，高容量NAND Flash颗粒找到供货出口

DRAM现货价格跌破上半年低点，合约价格向下修压力仍大

上周DRAM现货市场出现明显跌幅，DDR2平均跌幅达10%以上。DDR2 512Mb 667MHz价格下跌至1.67美元。而在DDR2 512Mb eTT 部份，也大幅度下跌至1.32美元左右。目前现货市场需求普遍不佳，报价持续下跌引发许多通路商及模块厂争相抛出DRAM库存，使得DDR2 eTT报价甚至跌破五月1.32美元的低点。

分析现货市场价格大幅度下跌的主要原因，仍在于市场需求不振。而下半年为PC市场传统旺季，使得许多模块厂及通路商在第二季末大幅度拉高DRAM库存水位。根据各家模块厂商第二季的财报数字，大多数模块厂商普遍都有一个月以上的高库存水位，因此进入9月眼看PC传统旺季即将要结束，加上DRAM价格持续缓步下跌，造成多数厂商争相抛出库存，使得价格进一步下滑。

目前现货市场仍在观察大陆10/1长假效应何时显现，依照以往经验大陆通路商备货的需求大约会在9月中旬以后陆续出现。但是在大陆政府七月份实施严厉打击走私之后，预估今年的备货需求将会较往年减少一点。

至于在DRAM供给面部份，DRAMeXchange认为今年第四季DRAM供给增加幅度有限。虽然台系厂商12吋新建的产能将于第四季陆续开出，但是投片后的大量产出的时间点也会落在明年第一季左右。至于韩系DRAM厂商也因为8月初的三星跳电事件，因此移转部份DRAM产能至FLASH，使得整体产业第四季供给成长幅度有限。

而目前DRAM价格大幅度跌破DRAM厂商的成本区间，使得现货价格跌深反弹的机会增加。至于合约市场价格，与目前现货价格差距达20%以上，因此合约价格仍将继续向下修正与现货价格之价差作收敛。

内建大容量储存装置的手机与MP3播放器相继问世，高容量NAND Flash颗粒找到供货出口

今年NAND Flash供货商的制程能力陆续提升至50~56奈米等级，供货商使用这样的先进制程生产出16Gb MLC的芯片，间接帮助NAND Flash相关应用的内建容量迅速提升。从六月底Apple推出4GB和8GB的iPhone之后，手机龙头厂商Nokia在八月底也发表两款内建大容量的高阶机种N95 8GB与N81 8GB版本，另一手机大厂SonyEricsson也将在十月推出W960i手机（一样是内建8GB的闪存）。另一方面，上周Apple推出新款的iPod Touch，将储存容量提升至8GB和16GB。DRAMeXchange预估这些装置在今年第四季的出货量加总起来约在一千万支上下，我们认为这些产品在今年九月到十一月之间对高容量NAND Flash颗粒的需求将是供货商供货的重点。

今年上半年Samsung、SanDisk和Toshiba等厂商陆续以50和56奈米制程开发出16Gb MLC芯片，经过多层堆栈的封装制程后可以TSOP或MCP的形式内建在手持式产品上，例如：手机、MP3播放器和GPS导航应用等。Figure-2中所列出的手机和MP3产品为Apple、Nokia和SonyEricsson等厂商今年第四季的主力销售商品，每一项产品均内建8GB高容量的NAND Flash，Apple甚至推出更高容量16GB的iPod Touch版本。在目前NAND Flash终端商品的市场需求平淡情况下，上述产品能否在第四季开创出不错的销售成绩，将影响后续两三个月内NAND Flash高容量颗粒的市场供需状况。

最后，DRAMeXchange将9/3和9/10的各容量的NAND Flash颗粒现货收盘价做一比较：1Gb SLC的价位从3.77美元下跌至3.44美元，跌幅为8.8%；2Gb SLC从6.72下跌至5.55美元，跌幅17.4%；4Gb SLC从14.76下跌至9.11美元，跌幅38.3%；4Gb MLC从6.66下跌至6.25美元，跌幅6.2%；8Gb SLC则从19.68下滑至16.8美元，跌幅为14.6%；8Gb MLC从7.86下跌至6.73美元，跌幅14.4%；16Gb SLC则从27.69下跌至25.75美元，跌幅为7%；16Gb MLC从15.59下跌至14.09美元，跌幅9.6%；32Gb MLC从29.64下跌至26.96美元，跌幅9%。