部分模块厂收购低价颗粒将使现货市场价格有机会跌深反弹；中国十一长假备货效应显现，NAND Flash市场需求略显提升

部分模块厂收购低价颗粒将使现货市场价格有机会跌深反弹，但预期反弹幅度仍将有限

观察现货市场，虽然大陆十一长假前，新兴市场确实有需求出笼。但是现货市场价格没有明显落底迹象，部份模块厂及通路商在不堪亏损的情况下将库存停损，使得DDR2 eTT价格最低跌到1.15美元。而品牌颗粒价格也跌到1.48美元左右。

合约市场方面，今年下半年由于PC OEM厂商因为部分零组件缺货影响，使得下半年PC市场出货数量受到限制，部份厂商甚至会下修出货目标。然而零组件缺货问题预期在十月份以后逐渐舒缓，因此PC OEM厂商仍有机会在11月以前冲刺圣诞节的出货量，将使得合约市场需求延续至11月。然而合约市场价格与现货价格仍有落差，因此预期十月份合约价格仍会呈现缓跌局面。

而今年DRAM价格在旺季期间大幅度下跌，造成许多模块厂及通路商的严重亏损。近期部份规模较大的模块厂商已经开始出手采购低价的DRAM颗粒来平衡成本，将使得现货价格跌深反弹的机会增加。但是DRAMeXchange认为，由于传统PC市场旺季即将结束，加上短期内DRAM产出不会有减少的情况，因此DRAM现货价格有机会跌深反弹，但是反弹幅度预期将会有限。

中国十一长假备货效应显现，NAND Flash市场需求略显提升

九月上半月整体NAND Flash市场需求并未出现往年同时期需求热络的景象，整个市场交易状况处于平淡的状态。进入九月中旬之后，在主要供货商反应制造成本改善进而调降合约价格的条件下，下游的记忆卡、随身碟和其它NAND Flash应用的业者开始向供货商拿货，惟提货数量不大。上周开始，下游厂商为因应两岸三地的中秋连续假期和中国十一长假期间工厂生产记忆卡、随身碟所需的NAND Flash备料，向供货商拿货的数量有明显的提升。

上游供货商目前在MLC 8Gb、16Gb等主流颗粒的合约价方面正与客户协商洽谈中，希望能缩小与现货价格的差距，DRAMeXchange预期将有更多的下游厂商在本月底前会陆续向上游供货商拿货以应付十一长假期间工厂生产成品所需的备料。至于10月NAND Flash合约价格是否会再做调整，则有待十月上旬终端市场销售状况及圣诞节备货需求状况的变化而定。

最后，DRAMeXchange将9/17和9/26的各容量的NAND Flash颗粒现货收盘价做一比较：1Gb SLC的价位从3.66美元小涨至3.71美元，涨幅为1.4%；2Gb SLC从5.5上涨至6.02美元，涨幅9.5%；4Gb SLC从8上涨至8.44美元，涨幅5.5%；4Gb MLC从6.31小跌至6.25美元，跌幅1%；8Gb SLC则从15.36小涨至15.49美元，涨幅为0.8%；8Gb MLC从6.57上涨至6.75美元，涨幅2.7%；16Gb SLC则从25.14上涨至25.84美元，涨幅为2.8%；16Gb MLC从13.3上涨至13.82美元，涨幅3.9%；32Gb MLC从26.08小跌至26美元，跌幅0.3%。