集邦科技：行动装置用DRAM，2010年位需求成长达71%

集邦科技：行动装置用DRAM，2010年位需求成长达71%

2010年西班牙巴塞隆纳全球行动通讯大会(mobile world congress)在2月中隆重落幕。前五大品牌手机厂，会场展示焦点皆为智能型手机平台，也显示手机的产业的竞争趋势从原本的硬件设计转变至软件系统；从推广高价格性能比的功能手机(feature phone)转变到冲刺高附加价格的智能型手机。在会展上，手机大厂所展示的新机型，有一半以上都是属于智能型手机，也使各界看好智能型手机在2010年出货量之成长。

DRAMeXchange预估，全球手机出货量将从2009年的14.5亿支成长至2010年的16.1亿支，年成长率达10.5%；其中，手机产业的成长力道绝大部分来自于智能型手机的出货量成长，我们预估智能型手机出货量将从2009年的1.7亿支成长至2010年的2.2亿支，年成长率28.6%。

智能型手机出货量的成长，不仅带动NAND Flash需求增加，也带动Mobile DRAM需求成长。2009年智能型手机搭载的Mobile DRAM主流容量为128MB，但是新款的iPhone 3GS以及Android平台的智能型手机，搭载的mobile DRAM容量高达256MB，此为以往智能型手机的搭载量的一倍，更是功能手机的四倍之多。Google最近推出与HTC合作的Nexus One，更将规格再度提高至512MB。

在这一波智能型手机大厂竞相成长之下，Mobile DRAM预期出货量将大幅成长且价格走势趋向稳定，Samsung、Hynix在此应用皆卯足全力扩大市占率；目前Hynix mobile DRAM占其总产出已达到12%，Samsung更是接近其DRAM总产出20%之高水位。DRAMeXchange预估，全球Mobile DRAM output在2010年将可成长至18.7亿1Gb约当量，年成长率达到71%，为今年DRAM需求成长另一强大动能。