受中国农历年长假影响2月上旬 NAND Flash合约价大致持平

受中国农历年长假影响2月上旬 NAND Flash合约价大致持平

2月上旬NAND Flash市场受中国农历年长假，及节后一些下游客户仍在盘点库存的影响，故NAND Flash合约价大致呈现持平的状况，但2月下旬我们预期一些多空因素将会开始影响NAND Flash市场：

1.) 虽然中国农历年假期间NAND Flash终端应用产品的销售状况，大致符合原先市场的预期，但长假过后也将开始进入记忆卡及UFD通路市场的传统淡季，因此记忆卡客户在淡季期间，不太愿意维持较高库存的水位，故在3月到2Q11期间他们可能会采取仅适量回补所需库存的采购策略。

2.) 由于一些新进的3C相关厂商在1H11多是先推新的平板计算机或智能型手机来测试市场反应及提高品牌的曝光度，我们预期这些平板计算机及智能手机生力军的出货量在2H11才会比较明显的增加，因此1H11 NAND Flash供货商的OEM大订单仍将会以某些系统产品客户为主，但这些比较稳定的长单仍将有助于部份缓和记忆卡通路市场淡季效应的影响。

3) 随着Toshiba/SanDisk阵营的出货量因跳电意外而减少供货量的因素将在3月回复正常，且多数NAND Flash供货商的新2xnm制程技术将会在2Q11更趋成熟，使得2Q11的NAND Flash位产出量也将会持续增加，因此我们预期在上述的多空因素影响下，NAND Flash合约价在3月份可能开始转为部份缓跌或部份维持相对稳定的的状况，以反应2Q11淡季效应与制程技术的成本下降效益，以及供货商鼓励客户采用高储存容量产品的促销策略等因素的影响。