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【市场观察】集邦咨询:旺季需求带动均价小幅上扬,DRAM第三季总产值将续创新高

来源:集邦咨询       

集邦咨询:旺季需求带动均价小幅上扬,DRAM第三季总产值将续创新高

进入下半年,各大DRAM厂已陆续洽谈第三季合约价格,根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,受惠于买方急欲增加库存水位以及第三季传统旺季需求来临,即便供给位元成长逐季增加,平均销售单价仍可望小幅上扬。

DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出,回顾第二季,各供货商陆续转进1X或1Y纳米制程,虽然陆续传出有良率不甚稳定或量产品出现质量疑虑的状况,但相较第一季,供货位元季成长仍有3.2%。然而,就买方而言,由于库存尚未达到安全水位,因此仍有相对稳健的拉货动能,带动DRAM整体均价呈现微幅季成长。

展望第三季,由于1X或1Y纳米的比重将持续增加,DRAMeXchange预估,第三季供货位元成长可望达4.8%,但在旺季需求的支撑下,DRAM价格仍会持续小幅上扬,带动第三季DRAM总产值续创新高。

高端手机与数据中心支撑主流需求;图显内存购买动能骤减

从产品类别来看,第三季DRAM价格涨幅主要由服务器内存与行动式内存带动。服务器内存的需求较第二季稳健提升,因此出货至一线厂的主流服务器模组价格仍有1-2%的上涨空间。但由于供货率(fulfillment rate)至今年年初起一路提升,因此价格上涨有限,且第三季服务器内存在一线厂与二线厂的报价区间不会有太大的差异。

以行动式内存而言,价格的涨幅主要由Android高端手机在高容量LPDDR4采用量提升所支撑。近期推出的高端手机已将DRAM容量提升至6GB甚至是8GB,也使得LPDDR4系列不论是在分离式(Discrete)或者是eMCP的供应皆看紧。预期第三季整体行动式内存价格在高端机种的带动下有机会出现1-2%的涨幅。

而图显内存与利基型内存受到虚拟货币(cryptocurrency)需求骤减影响,原先预估的涨幅可能完全消失。尤其图显内存经历上半年的价格飙涨,恐怕导致价格在下半年出现下跌。

下半年DRAM价格续涨,然涨幅持续收敛

整体而言,虽然10纳米级带来的位元成长不若先前世代明显,但随着供货商在今年上半年陆续导入,将持续贡献未来数个季度的位元增长。以下半年来说,DRAMeXchange认为,虽然需求在旺季支撑下可望维持稳健,但已可观察到价格上涨幅度越来越小,在今年第四季更可能面临持平开出的状况。