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【IC设计】高通骁龙855采用台积电7纳米制程 年底亮相

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

根据外国科技网站报导,供应链消息指出,高通(Qualcomm)下一代骁龙855处理器目前已完成流片,使用台积电7纳米制程技术,支援QC 5.0快速充电,还整合人工智能运算NPU单元,预计将在2018年底前亮相,而搭配骁龙855处理器的终端设备要到2019年第1季才会问世。

报导指出,高通目前的骁龙处理器主要使用三星14纳米及10纳米制程技术。上周才发表的骁龙675中端处理器采用三星改良自14纳米制程的11纳米制程。不过,即使像高通与三星合作这么紧密的伙伴,在下一代制程技术,还是转向台积电。市场人士表示,这情况显示三星在7纳米制程即便使用EUV技术,仍旧有难以突破的瓶颈。

此外,除了代工厂由三星转向台积电,高通新一代处理器命名也将有重大变化。旗舰级的8系列产品,将变成骁龙1000系命名,就是在原来称为骁龙855的处理器,其中会有智能手机使用的骁龙8150处理器,另一款则是针对Windows“全时联网”笔记型电脑使用的骁龙8180处理器,频率将高达3GHz,功耗也将降低至15W。

这两项产品,日前供应链消息指出,骁龙8150处理器已完成流片,意味着芯片完成大部分工作,并且2018年底前就会正式亮相生产。不过,相关终端产品上市,最快也要到2019年第1季。

报导进一步指出,技术方面,骁龙8150处理器除了升级至7纳米制程,也会加入新技术支援,其中一个就是QC 5.0快充技术,预计充电功率将从目前27W提升到32W,并且从两路电路变成三路电路,提高充电效率,同时也能控制好温度。

NPU方面,骁龙8150处理器还会整合专用NPU,提高人工智能及深度学习等的效能。不过,在这方面华为麒麟处理器、苹果A系列处理器都已领先高通,加入NPU单元。这种方法能提高处理器多少效能,有待未来产品推出后实际验证。

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