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【IC设计】传英特尔独显GPU将采用台积电6纳米代工

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

近来,处理器大厂英特尔(Intel)虽然10纳米制程已经在2019年赶上进度,但是在14纳米制程的产能上仍有不足的地方。因此,陆续传出英特尔要将部分产品交由晶圆代工龙头台积电来生产的消息。

虽然,英特尔与台积电已不是第一次合作,之前英特尔的SoFIA系列移动处理器就是交由台积电来代工生产,但是再次合作的消息目前还没看到成果。如今,市场又传出,英特尔预计将旗下的自研得独立显示GPU交由台积电的6纳米制程来代工,而且到2022年还将采用台积电的3纳米制程来生产。

根据外媒《El Chapuzas Informatico》的报导指出,之前英特尔财务长George Davis曾经公开表示,针对14纳米制程的产能不足问题,英特尔2020年将增加更多产能来填补空缺。至于10纳米制程的部分,预计将不会像22纳米或14纳米制程那样的大规模产出。

而面对未来更多新产品的陆续推出,英特尔势必要想办法解决先进制程的问题。因此,传出英特尔要联手台积电,将旗下的自研独立显示GPU交由台积电的6纳米制程来代工的讯息,甚至到2022年还将采用台积电的3纳米制程来生产。

报导表示,相关消息来源指出,英特尔将于2021年开始采用台积电6纳米EUV制程来生产旗下自研的GPU及芯片组。至于,为什么会交由台积电来生产GPU,其主要原因在于GPU的生产相对于CPU的生产来得更简单一些,而且台积电在GPU生产上也很有经验。

而根据英特尔官方公布的数据显示,英特尔自研的Xe架构DG1独立显示GPU使用的是自家10纳米制程技术来制造,2020年底上市,拥有96组执行单元,一共是768个核心,基础频率1GHz,加速频率1.5GHz,还具1MB二级缓冲存储器以及3GB显示存储器,最大功号为25W。外界传闻,在性能方面,Xe架构的DG1独显将在Nvidia GeForce GTX 1050和GeForce GTX 1650之间。

虽然DG1的定位不算高阶,但是之后还会有DG2的新世代独立显示GPU产品推出,外界预估DG2就将是一款高性能GPU了。根据之前的市场消息表示,英特尔的DG2会采用台积电的7纳米制程技术,但就目前市场消息来看,最终可能将采用台积电的6纳米EUV制程。

不过,2021年英特尔预计自家的7纳米制程技术也会量产,且官方早已宣布用于资料中心的Ponte Vecchio加速卡会使用自家的7纳米制程。因此,届时英特尔与台积电是不是真的能够联手成功,为英特尔得独立显示GPU生产记上新页,则有待后续的发展。

封面图片来源:拍信网