IBM发布全球首款亚1纳米芯片技术，晶体管密度实现翻倍

美东时间6月24日，IBM在官网正式对外发布全球首款亚1纳米芯片技术成果。

根据官方披露的数据，这款亚1纳米新工艺芯片性能相比IBM现有2纳米节点产品最高提升50%，能效提升幅度达到70%。新技术可在指甲大小的芯片内封装近1000亿个晶体管，晶体管密度约为企业2021年对外公布的2纳米芯片的两倍。

本次技术突破依托多项材料与架构创新，核心是IBM自研的三维纳米栈晶体管架构。企业在公告中表示，该架构验证了即便芯片器件尺寸逼近原子级别，芯片性能与能效依旧能够持续迭代，打破了传统平面微缩工艺的物理瓶颈。

按照技术报告给出的指标，这套亚1纳米工艺主要面向生成式AI算力集群、云数据中心、新一代智能终端。更高的晶体管密度与更低的功耗，可以缩短大模型训练时长，持续满足高算力场景的硬件需求。

在量产规划方面，IBM给出明确时间表。基于三维纳米栈架构的亚1纳米技术完成工艺验证后，最快有望在五年内进入规模化量产阶段。现阶段项目仍处于实验室技术验证环节，后续还需要完成设备调试、良率优化与产业链配套对接工作。

公开资料显示，IBM长期深耕先进晶体管架构研发，2021年率先完成2纳米纳米片工艺技术验证。本次三维垂直堆叠的纳米栈方案，是在GAA纳米片结构基础上完成的技术升级，为摩尔定律延续至埃米级节点提供了可行路径。