DRAM缺货情况预计将持续至明年

来源：联合新闻网原作者：简永祥 2017-07-24 08:30:03

美光桃园N2厂复工，淡化DRAM供货紧绷的压力，但存储器业者都看好DRAM荣景仍可维持颇长时间，随获利稳定，配息也会趋于稳定，未来应可跳脱产业循环剧烈波动，以稳定的殖利率表现，吸引法人青睐。

今年DRAM产业写下史上涨势最久记录，推升整体半导体产值同写新高。

对于下半年DRAM涨势，某市调机构表示，DRAM价格自去年下半年起涨，截至今年第2季，售价每季平均上涨16.8%；今年DRAM位元出货量实际比去年少，预估今年DRAM全年涨幅可达64%。

对于DRAM后市看法，集邦咨询（TrendForce）、南亚科总经理李培瑛、威刚董事长陈立白等，都预估到明年都还是维持缺货。

集邦预估，本季DRAM合约价上涨约5%；李培瑛预估上涨4~6%，第4季价格涨幅会再收敛，整体价格还是会维持稳定。

集邦强调，今年DRAM需求端，尤其是智能手机领域，并没有特别强劲，但供货吃紧主要是DRAM产业持续制程转进不易，造成供货紧缩，使平均销售单价居高不下；短期内因未见新增产能，预计DRAM供货吃紧状态将延续至明年。

至于推升本季DRAM价格上涨动能，集邦表示，主要来自数据中心布建，加上网通类产品的旺季备货周期来临，带动价格持续上扬。

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