韩厂重心转向HBM放缓NAND迭代，铠侠闪迪借机扩产抢占AI存储市场

当前全球存储市场格局持续分化，韩国两大存储巨头聚焦1c DRAM与HBM产能扩张，放缓新一代NAND闪存迭代节奏，为铠侠、闪迪联盟创造了宝贵的市场窗口期。

据Global Economic援引德国科技媒体ComputerBase消息，铠侠与闪迪将大幅加码NAND产业布局，依托技术与产能优势抢占AI数据中心存储市场。

数据显示，美日NAND联盟本财年资本开支将达45亿美元，折合6.75万亿韩元，同比大幅增长41%，投资核心聚焦第十代BiCS架构NAND产品。

据日经披露，铠侠计划2026年在日本岩手县北上工厂实现新一代NAND量产，产品架构从第八代218层升级至332层，将复用去年9月投产的K2产线落地产能，有效盘活现有产线资源。

本轮扩产的核心驱动力来自AI产业结构性需求升级。随着AI产业从基础设施训练建设阶段，转向大规模推理部署阶段，市场对高性能、大容量存储产品需求持续攀升。各大云服务商数据中心资本开支持续向存储领域倾斜，单GPU配套SSD容量同比翻倍增长，新一代AI服务器单GPU普遍搭载数十TB存储空间，持续拉动高端NAND需求扩容。

据ZDNet报道，铠侠将第十代BiCS NAND量产定为2026财年核心目标。该产品相较218层前代产品，单位面积存储密度提升59%，数据传输速度提升33%。其核心技术优势在于以更少堆叠层数实现超高存储密度，不仅简化垂直蚀刻工艺、减少高端设备损耗，还能有效降低晶圆翘曲不良率，大幅优化生产成本。数据显示，其QLC架构密度可达37.6Gb/mm²，性能优于三星规划中的430层V10架构产品。

与美日企业积极扩产形成鲜明对比的是，韩系存储厂商全面放缓NAND迭代节奏。TrendForce数据显示，2026年全球主流NAND厂商基本无新增产能投放。三星将第十代430层NAND量产计划延后至2027年之后，目前尚未敲定设备采购订单。

业内分析认为，若铠侠与闪迪持续优化成本、加速企业级QLC SSD普及，有望进一步抢占AI数据中心存储份额。而三星、SK海力士凭借成熟的第九代产品良率与稳固的政企客户资源，依旧具备强劲市场竞争力，全球NAND产业竞争格局将迎来新一轮重塑。