三星率先交付首批12层HBM4E样品 性能提升超20%

三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E。

此外，三星已规划扩展产品阵容，后续将推出8层32GB型和16层64GB型，以满足不同客户的多样化算力需求。

HBM（高带宽存储器）是AI加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定AI训练与推理的效率。

三星自2015年切入HBM赛道，产品已历经十代迭代，2026年2月，三星量产HBM4，是全球首家完成HBM4量产的企业。

据三星介绍，作为HBM4的迭代升级产品，12层HBM4E采用第六代10纳米(nm)级DRAM工艺(1c)和三星晶圆代工的4nm逻辑基片，在性能、容量、能效与散热方面均有大幅提升，专为大模型、生成式AI及高性能计算场景打造，与HBM4相比——

性能：其HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，性能可扩展至16Gbps，以满足日益增长的数据处理需求；与HBM4相比，性能提升超过20%，同时每个堆栈的内存带宽高达3.6TB/s，有助于最大限度地提高大模型和下一代人工智能系统的计算性能。

容量：HBM4E提供48GB的容量，比上一代产品增加了30%以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括32GB（8层）和64GB（16层）配置。

能效和散热：低功耗设计与封装优化使能效提升16%，热阻改善超14%，散热效率显著增强，可降低AI数据中心高负载能耗。