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【存储器】华邦电利基型DRAM明年下半年导入2X纳米

来源:苹果日报    原作者:杨喻斐    

华邦电今年来自于NOR Flash的需求强劲,更进一步排挤到了利基型DRAM的产能,在台中厂目前空间与产能有限下,将加紧微缩制程的脚步,华邦电总经理詹东义表示,自主开发成功的3X纳米DRAM生产技术,目前量产顺利,接下来希望赶快导入2X纳米,预计明年下半年量产,2X纳米技术一样也是由公司自主开发。

詹东义表示,为了要自主研发DRAM生产技术,当中有整整6年空白的时间,也就是这6年来,同业的制程微缩不断前进,可是华邦电却一直停留在既有的制程,过了多年的努力研发,终于成功迈向3X纳米,目前的量产情况非常顺利,现在正在着手往2X纳米迈进,希望可以跟上市场技术发展的脚步。

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