南亚科技：DRAM紧缺延续至2028年，三年产能扩张69%

7月10日，南亚科技在最新业绩说明会上，从行业供需、产能扩张、出货规划、产品价格四大维度释放中长期存储产业判断。

需求端层面，Rubin Ultra、TPA等新一代AI加速计算平台大幅拉高HBM位元消耗，大量先进产能转向HBM生产，持续挤压手机、PC、车用领域传统DRAM供给。南亚科技判断，供需缺口难以短期填补，全球DRAM供不应求格局将维持至2028年。2026上半年公司AI服务器、算力基础设施相关存储产品营收占比已突破20%，长周期供货合约占总产能五成，锁定中长期稳定订单。

供给端公司公布明确扩产路线，2026至2028年整体产能规划扩张69%。核心增量来自5A全新12英寸晶圆厂，工厂将导入1C、1D纳米先进DRAM制程，最终月投片规模达4.5万片；先进制程可提升单片晶圆位元产出效率，同步优化高附加值AI内存产能占比。新厂2027年初启动设备装机，2028年逐步释放完整产能，配套资本支出总额约4800亿新台币。

基于产能爬坡节奏，公司给出bit出货量化预测：2027年位元出货量同比增长8%至67.5亿Gb；2028年伴随5A新厂产能集中释放，bit出货同比大增53%，达到103.3亿Gb，存储供给规模迎来阶段性大幅扩容。

价格走势方面，南亚科技表示，二季度每Gb平均售价尚未完全兑现合约涨价红利，叠加头部长约客户换约存在时间差，涨价传导存在滞后效应，三季度产品平均单价ASP仍具备上调空间。行业涨价周期延续逻辑来自AI算力硬件持续放量、原厂产能优先倾斜高毛利HBM产品，下游客户主动签订多年长约锁定供货，进一步支撑价格上行。