建置先进制程产能 旺宏明年资本支出年增逾6成

存储器制造厂旺宏董事会决议通过明年资本支出预算，金额达新台币38.9亿元，将较今年增加超过6成水准。

旺宏指出，今年资本支出预算新台币24亿元，前3季实际支出约新台币14亿元。

明年新台币38.9亿元的资本支出预算，将主要用于建置先进制程产能，旺宏表示，先进制程产出颗粒将会增加，将等同扩产效果。

旺宏目前只读存储器(ROM)制程技术已推进至32纳米；编码型快闪存储器(NOR Flash)制程技术也推进至55纳米；储存型快闪存储器(NAND Flash)制程已推进至36纳米，明年将进一步推进到19纳米。

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